АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПЛЕНОК ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ БОРА

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. ВАБИЩЕВИЧ
А. В. ВАСЮКОВ
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Д. И. БРИНКЕВИЧ
В. С. ПРОСОЛОВИЧ

Аннотация

Методом атомно-силовой микроскопии исследована модификация поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированного ионами B+ с энергией 100 кэВ в интервале доз 5×1014–1×1016 cм-2. Обнаружено формирование при низких дозах имплантации ионов пирамидальных структур высотой до 19 нм и размерами в основании до 4–20 нм, хаотично расположенных на поверхности фоторезистивных пленок. Увеличение дозы имплантации свыше 1∙1015 см-2 приводит к сглаживанию пирамидальных структур. Их высота снижается до 2–5 нм, а размеры в основании увеличиваются до 5–100 нм. Формирование указанных структур обусловлено релаксацией локальных упругих напряжений сжатия в полимерной пленке.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ВАБИЩЕВИЧ, С. А., ВАСЮКОВ, А. В., ВАБИЩЕВИЧ, Н. В., БРИНКЕВИЧ, Д. И., & ПРОСОЛОВИЧ, В. С. (2018). АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПЛЕНОК ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ БОРА. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (12), 37-41. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/393
Выпуск
Раздел
Физика
Биографии авторов

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

А. В. ВАСЮКОВ, Полоцкий государственный университет

канд. тех. наук, доц.

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.

Микроиндентирование структур фотополимер – кремний / Н.В. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C. 77–83.

Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 1. – C. 77–84.

О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., Минск, 12-13 окт. 2016 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2016. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). – С. 22–24.

Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию / В.С. Просолович [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 12 междунар. конф., Минск, 23–25, сент. 2017. – Минск : Издат. центр БГУ, 2017. – С. 409–411.

Modification of the positive photoresist surface by ion implantation / D.I. Brinkevich [et al.] // Russian Microelectronics. – 2015. – V. 44, № 6. – P. 399–403.

Спектры отражения гамма-облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. Физика. – 2017. – № 4. – C. 35–39.

Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 169–178.

Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А.В. Ельцова. – Л. : Химия, 1985. – 296 с.

Радиационная модификация поверхности полимеров / А.А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2015. – № 4. – С. 60–65.

Аскадский, А.А. Компьютерное материаловедение полимеров / А.А. Аскадский, В.И. Кондрашенко. – М. : Научный мир, 1999. – Т. 1 : Атомно-молекулярный уровень. – 544 с.