ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ С ПЛЕНКАМИ ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Время жизни неравновесных носителей заряда τ в пластинах монокристаллического кремния с нанесенными на его поверхность пленками диазохинон-новолачного резиста марок ФП9120 и SPR700 измерялось фазовым методом с применением бесконтактной СВЧ-техники трехсантиметрового диапазона. Установлено, что в центре пластины значения времени жизни несколько выше, чем у края. Поверхностное время жизни τs было ниже объемного τv. Длительное хранение приводило к снижению времени жизни, наиболее выраженному в случае τs. Это связано, предположительно, с накоплением в кремниевой пластине быстро-диффундирующих глубоких примесей. Имплантация ионов бора и фосфора приводила к снижению значений τv, обусловленному нагревом (до ~70oС) кремниевой пластины в процессе имплантации. Поверхностное время жизни τs в процессе облучения γ-квантами дозой выше 1 кГр снижается более интенсивно, чем объемное τv, что, вероятнее всего, связано с обрывом связей Si–O–C на границе раздела фоторезист/кремний.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда : ГОСТ 18986.7-73. – М. : Издательство стадартов, 1973. – 6 с.
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – 632 с. – Ч. 2.
Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.
Бураков, А.В. Бесконтактный измеритель времени жизни неравновесных носителей заряда / А.В.Бураков, С.Н. Якубеня, А.М.Янченко // Приборы и техника эксперимента. – 1986. – № 4. – C. 226.
Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы / А.А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2020. – № 6. – С. 14–18.
Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239.
Mechanism of the Adhesive Interaction of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films with Monocrystalline Silicon / S.D. Brinkevich [et al.] // J. of Applied Spectroscopy. – 2020. – Vol. 87, № 4. – Р. 647–651. – DOI 10.1007/s10812-020-01049-4.
Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии / C.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2020. – № 12. – C. 60–64.
Radiation-Induced Processes in Diazoquinone–Novolac Resist Films under Irradiation with 60Co γ-Rays / S.D. Brinkevich [et al.] // High Energy Chemistry. – 2021. – Vol. 55, № 1. – P. 65–74.
Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантами / C.А. Вабищевич [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск, 2020. – С. 161–166.