ИНФРАКРАСНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В НЕЙТРОННО-ОБЛУЧЕННОМ КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ АЛЮМИНИЕМ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методами измерения эффекта Холла и спектров ИК-поглощения исследованы радиационные дефекты в нейтронно-облученном кремнии, легированном Al, Ga и In. В спектральной области 1…10 мкм обнаружен ряд узких полос. Эти полосы связаны с электронными переходами на алюминийсодержащих радиационных дефектах. Разработана возможная классификация радиационных центров, основанная на данных термического отжига.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Latushko, Ya.I. IR studies of electron-irradiated aluminium-doped silicon. Material Science Forum. Defects in semiconductors / Ya.I. Latushko, V.V. Petrov // Pros. of the 15 International Conf. on Defects in Semiconductors ICDS-15, Budapest. 1988. – P. 1169 – 1173.
Ильин, М.А. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии / М.А. Ильин, В.Я. Коварский, В.Ф. Орлов // Заводская лаборатория. – 1984. – Т. 50, № 1. – С. 24 – 32.
Дамаск, А. Точечные дефекты в металлах / А. Дамаск, Дж.Динс. – М.: Мир, 1966. – 292 с.
Chen, C.S. Radiation-produced absorption bands in silicon: piezospectroscopic study of a grope 5 atom-defect complex / C.S. Chen, J.C. Corelli, G.D. Watkins // Phys. Rev. B: Condens. Mater. – 1973. – V. 5, № 2. – P. 510 – 22.
ИК-поглощение на радиационных дефектах в кремнии, легированном алюминием / М.Т. Лаппо [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 1982. – Т. 16, № 3. – С. 532 – 540.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- А. А. ХАРЧЕНКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ БОРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2014)
- С. А. АБРАМОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, И. В. КОНДРУСЬ, ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2026)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, И. А. ВЛАСЕНКО, ИК-ФУРЬЕ СПЕКТРОСКОПИЯ ПЛЕНОК НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2026)
- Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, А. И. ПРОСТОМОЛОТОВ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ФОТОРЕЗИСТЕ ЗА СЛОЕМ ВНЕДРЕНИЯ ИОНОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2013)
- А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛИМЕРОВ МОДИФИЦИРОВАННОЙ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКОЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2013)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, МИКРОПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННОГО ПРИ НАЛОЖЕНИИ НА РАСПЛАВ СЛОЖНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2012)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, МИКРОПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2012)