MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Modification of diazoquinone-novolach photoresist by P+ and B+ implantation with an energy of 60 keV at an ion current density of 10 μA/cm2 were investigated by atomic force microscopy, resistivity and reflection spectra measurements. It was shown that ion implantation leads to a change in the roughness of FP9120 photoresist films on a silicon substrate from 0,24 nm for the initial sample to 0,14 nm and 0,16 nm for samples implanted with P+ and B+ ions, respectively, at an implantation dose of 6 · 1014 cm-2. This is due to stress relaxation at heating of the resist's surface layer. It has been established that a decrease in the refractive index of the photoresist occurs at P+ and B+ions implantation due to radiation crosslinking and gas release. An increase in the electrical conductivity of the near-surface layer of the photoresist was observed as a result of carbonization of the near-surface layer and the formation of a powerful system of conjugated multiple bonds.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Экспериментальные методы химии высоких энергий / Под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 172.
Радиационная химия полимеров / В. Я. Кабанов [и др.] // Химия высоких энергий. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 5–21.
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. –М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.
Прочностные свойства структур фоторезист – кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+ / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2016. – № 12. – C. 30–36.
Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора / С. А. Вабищевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 1. – С. 54–59.
Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации / Д. И. Бринкевич [и др.] //Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 448–452.
Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте / А. Н. Олешкевич [и др.] //Микроэлектроника. – 2020. – Т. 49, № 1. – С. 58–65.
Трещиностойкость пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на пластинах монокристаллического кремния / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2021. – № 4. – C.64–69.
Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2020. – № 6. – С. 14–18.
ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста / Д. И. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 2. – С. 126–134.
Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста за областью внедрения ионов В+ / С. Д. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 5. – С. 377–386.
Механизм адгезионного взаимодействия пленок диазохинонноволачного фоторезиста с монокристаллическим кремнием / С. Д. Бринкевич [и др.] // Журн. прикладной спектроскопии. – 2020. – T. 87, № 4. – С. 588–593
Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239.
Модификация приповерхностной области пленки полиимида имплантацией ионов бора / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 1. – С. 94–99.
Радиационная модификация поверхности полимеров / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 4. – С. 60–65.
Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированных ионами бора / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2018. – № 12. – C. 37–41.
Радиационно-стимулированная модификация спектров отражения за областью пробега ионов в пленках полиимида / Д. И. Бринкевич [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2017. – № 8. – С. 25–30.
Аскадский, А. А. Компьютерное материаловедение полимеров / А. А. Аскадский, В. И. Кондрашенко. – М. : Научный мир, 1999. – Т. 1 : Атомно-молекулярный уровень. – 544 с
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, STRENGTH PROPERTIES OF DIAZOQUINONE PHOTORESIST FP9120 FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON IMPLANTED WITH ANTIMONY IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)
- D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, S. VABISHCHEVICH, INFRARED FOURIER SPECTROSCOPY OF DIFFUSE REFLECTION OF THE AZ nLOF SERIES NEGATIVE PHOTORESISTS FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)