МОДЕЛЬ ВЗАИМОСВЯЗИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ С ДВУМЕРНЫМ КАНАЛОМ ДЛЯ СИСТЕМ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Представлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре. Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микро- и наноэлектроники.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Yoon, Y., Ganapathi, K., & Salahuddin, S. (2011). How good can monolayer MoS2 transistors be? Nano Letters, 11(9), 3768–3773. DOI: 10.1021/nl2018178.
Wang, Q. H., Kalantar-Zadeh, K., Kis, A., Coleman, J. N., & Strano, M. S. (2012). Electronics and optoelectronics of twodimensional transition metal dichalcogenides. Nature Nanotechnology, 7(11), 699–712. DOI: 10.1038/nnano.2012.193.
Mingsheng, X. Tao, L., Minmin, S., & Hongzheng, C. (2013). Graphene-Like Two-Dimensional Materials. Chemical Reviews, 113(5), 3766–3798. DOI: 10.1021/cr300263a.
Radisavljevic, B., Radenovic, A., Brivio, J., Giacometti, V., & Kis, A. (2011). Single-layer MoS2 transistors. Nature Nanotechnology, 6(3), 147–150. DOI: 10.1038/nnano.2010.279.
Cao, W., Kang, J., Liu, W., & Banerjee, K. (2014). A Compact Current–Voltage Model for 2D Semiconductor Based Field-Effect Transistors Considering Interface Traps, Mobility Degradation, and Inefficient Doping Effect. IEEE Transactions on Electron Devices, 61(12), 4282–4290. DOI: 10.1109/TED.2014.2365028.
Jiménez, D. (2012). Drift-diffusion model for single layer transition metal dichalcogenide field-effect transistors. Applied Physics Letters, 101(24), 243501. DOI: 10.1063/1.4770313.
Makovskaya, T., Danilyuk, A., Krivosheeva, A., Shaposhnikov, V., & Borisenko, V. (2020). Charge Properties of the MOS Transistor Structure with the Channel Made from a Two-Dimensional Crystal. Russian Microelectronics, 49(7). 507–515. DOI: 10.1134/S1063739720070069.
Chernozatonskii, L., & Artyukh, A. (2017). Quasi- two-dimensional transition metal dichalcogenides: structure, synthesis, properties and applications. Uspekhi Fizicheskih Nauk, 61(1), 2–28. DOI: 10.3367/ufne.2017.02.038065.
Wang, G., Chernikov, A., Glazov, M. M., Heinz, T. F., Marie, X., Amand, T., & Urbaszek, B. (2018). Excitons in atomically thin transition metal dichalcogenides. Review of Modern Physics, 90(2), 021001. DOI: 10.3367/UFNr.2017.02.038065.
Zebrev, G. I. (2011). Graphene Field Effect Transistors: Diffusion-Drift Theory. In S. Mikhailov (Eds.), Physics and Applications of Graphene-Theory (476–498). InTech. DOI: 10.5772/14211.