ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ФОТОРЕЗИСТЕ ЗА СЛОЕМ ВНЕДРЕНИЯ ИОНОВ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методом микроиндентирования исследованы структуры фоторезист – кремний, имплантированные ионами сурьмы с энергией 60 кэВ. Обнаружено, что процессы радиационного дефектообразования протекают далеко за областью пробега ионов Sb+. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен сильнее. Данный эффект обусловлен процессами радиационного сшивания. Показано, что ионная имплантация приводит к ухудшению адгезионного взаимодействия фотополимерной пленки с кремнием.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы / У. Моро: в 2-х ч. – М.: Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с. (Moreau, W.M. Semiconductor lithography. Principles, practices and materials / W.M. Moreau. – N.Y., London: Plenum Press).
Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 1 / под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – 406 с.
Микроиндентирование структур фотополимер – кремний / Н.В. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С. Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C. 77 – 83.
Особенности структуры и физико-механических свойств наноструктурных тонких пленок / Д.В. Штанский [и др.] // Физика твердого тела. – 2003. – Т. 45, № 6. – С. 1122 – 1129.
О распределении величины микротвердости по глубине образца / А.Б. Герасимов [и др.] // Физика твердого тела. – 1999. – Т. 41, № 7. – С. 1225 – 1227.
Исследование структуры граничных слоев полиметилметакрилата методом нарушенного полного отражения / Г.М. Семенович [и др.] // Высокомолекулярные соединения. Сер. А. – 1978. – Т. 20, № 9. – С. 2000 – 2005.
О взаимодействии метилметакрилата с силикатами минералов / Г.В. Топильский [и др.] // Изв. вузов. Сер. Строительство и архитектура. – 1975. – № 12. – С. 78 – 81.
Xiaolin, Lu. Characterization of the interfacial interaction between polyacrylamide and silicon substrate by Fourier transform infrared spectroscopy / Lu Xiaolin, Mi Yongli // Macromolecules. – 2005. – V. 38, № 3. – Р. 839 – 843.
Власов, С.В. Ориентированное состояние полимеров / С.В. Власов, В.Н. Кулизнев. – М.: Знание, 1987 – 48 с.
AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist / I. Azarko [et al.] // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – № 7. – P. 270 – 271.
Кинг, Р.В. Полимеры / Р.В. Кинг, Н.Дж. Бродвей, Р.А. Майер // Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем; под ред. Д.Ф. Кирчера, Р.Е. Боумана. – М.: Атомиздат, 1967. – С. 49 – 114. (Effect of radiation on materials and components; ed. J.F. Kircher, R.E. Bowman. – Reinhold Publishing Co, 1964).
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М.: Мир, 1988. – 246 с. (Grassie, N. Polymer degradation and stabilization / N. Grassie, G. Scott. – Cambridge University Press, 1985).
Synthesis and photochemistry of 1, 2-nafhthoquinonediazide-(2)-n-sulfonic acid derivatives / J. Bendig [et al.] // Tetrahedron. – 1992. – V. 48, № 42. – Р. 9207 – 9210.
Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных пленок / В.В. Сухоруков [и др.] // Поверхность. – 1991. – № 5. – С. 92 – 96.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М.: МГУ, 2009. – 824 с.
Ионная имплантация полимеров / В.Б. Оджаев [и др.]. – Минск: БГУ, 1998. – 197 с.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ ФП9120-КРЕМНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- С. А. АБРАМОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ОБРАТНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- А. А. ХАРЧЕНКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ БОРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2014)
- В. Б. ОДЖАЕВ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, В. Ю. ЯВИД, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Б. К. ИСМАЙЛОВ, З. Т. КЕНЖАЕВ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, И. А. ЗУР, Ю. А. ФЕДОТОВА, Е. Е. ШМАНАЙ, Е. Д. МИЦКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Е. Д. БУРЫЙ, С. Б. ЛАСТОВСКИЙ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ γ-КВАНТАМИ 60Со СТРУКТУР DLC/ПОЛИИМИД, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- О. О. ЛАТИЙ, В. В. БУСЛЮК, С. С. ДЕРЕЧЕННИК, В. А. ЕМЕЛЬЯНОВ, О. В. КОЧЕРГИНА, В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, МЕТОДЫ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ШУМОВЫХ ДИОДОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)