P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Исследованы вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сформированные имплантацией ионов бора или сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после формирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Это обусловлено, с одной стороны, геттерированием технологических примесей, которые создают глубокие генерационно- рекомбинационные центры и определяют величину обратного темнового тока p-i-n-фотодиодов. С другой стороны, существенное влияние на величину напряжения пробоя и предпробойный участок вольт-амперной характеристики оказывают процессы дефектно-примесного взаимодействия между радиационными и посттехнологическими дефектами типа дислокаций, микродефектов и т. п. Наличие на вольт-амперных характеристиках p-i-n-фотодиодов ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и технологических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Imaging lidars for space applications / J. Pereira do Carmo, B. Moebius, M. Pfennigbauer et al. // Novel Optical Systems Design and Optimization XI. – 2008. – Vol. 7061. – P. 70610J-01‒70610J-12.
Intersatellite link for earth observation satellites constellation / P. M. De Carlo, L. Roberto, G. Marano et al. // SPACEOPS, Roma, Italy. – 2006. – P. 19–23.
Semiconductor Devices: Physics and Technology / ed.: S. M. Sze, M.-K. Lee – 3th ed. – Hoboken, NJ: Wiley, 2012. – 592 p.
Springer Handbook of Lasers and Optics: Springer Handbooks / ed.: Träger. F. – Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. – 1694 p.
p-i-n Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time / Yu. G. Dobrovolsky, O. P. Andreeva, M. S. Gavrilyak et al. // Journal of Nano-& Electronic Physics. – 2018. − Vol. 10, iss. 4. – P. 04019-1–04019-5.
Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. – М.: Металлургия.1984. – 256 c.
Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы / П. К. Садовский, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев и др. // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, № 1. – С. 22–25.
Sah C. T., Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics / Proceedings of the IRE. – 1957. – Vol. 45, iss. 9. – P. 1228–1243.
Seebauer E. G., Kratzer M. C. Charged semiconductor defects: structure, thermodynamics and diffusion / Springer Science & Business Media, 2008. – 312 p.
Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.
Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. ‒ М.: Металлургия, 1984. – 256 с.
Таланин В. И., Таланин И. Е. Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния // Физика твердого тела. – 2013. – Т. 55, вып. 2. – С. 247–251.
Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк, В. Б. Оджаев, А. К. Панфиленко и др. // Микроэлектроника. – 2020. – Т. 49, № 4. – С. 315–320.
Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов / Н. С. Ковальчук, С. Б. Ластовский, В. Б. Оджаев и др. // Микроэлектроника. – 2023. – Т. 52, № 4. – С. 307–314.
Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л. С. Смирнова. – Новосибирск: Наука, 1980. – 296 с.
Вавилов B. C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука. 1990. – 216 с.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д, И. БРИНКЕВИЧ, НАКОПЛЕНИЕ РАДИОНУКЛИДОВ В СМЕННЫХ ДЕТАЛЯХ И ВОДНОЙ МИШЕНИ ЦИКЛОТРОНА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ИНДЕНТИРОВАНИЕ ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2023)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, Н. С. КОВАЛЬЧУК, Я. А. СОЛОВЬЕВ, Д. В. ЖИГУЛИН, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ЛОКАЛИЗАЦИЯ АТОМОВ АЗОТА В СТРУКТУРАХ Si–SiO2, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Б. ШУЛЯКОВСКАЯ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОБЛУЧЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА PI2610 НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2024)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2020)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. И. ТАРАСИК, ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ С ПЛЕНКАМИ ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2021)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, АНАЛИЗ ПРИМЕНЕНИЯ ГАММА-БЕТА-СПЕКТРОМЕТРА МКС-АТ1315 ДЛЯ КОНТРОЛЯ НЕЖЕЛАТЕЛЬНЫХ РАДИОНУКЛИДОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ПРОЦЕССЕ ПРОИЗВОДСТВА РАДИОФАРМПРЕПАРАТОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2023)