ИК-ФУРЬЕ СПЕКТРОСКОПИЯ ПЛЕНОК НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методом ИК-Фурье спектроскопии с использованием приставки для диффузного отражения исследованы пленки негативного фоторезиста KMP E3502 толщиной 2,62–5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивные полосы поглощения в отражательно-абсорбционных спектрах фоторезистивных пленок KMP E3502 наблюдаются в диапазоне волновых чисел 1000–1800 см–1 и характерны для фенолформальдегидной смолы. Анализ отражательно-абсорбционных спектров пленок KMP E3502 позволяет заключить, что их основным пленкообразующим компонентом является смесь фенолформальдегидных смол. В области волновых чисел 400–1000 см–1 в тонких (2,62 мкм) пленках KMP E3502 наблюдалась широкая полоса с максимумом в области 650–700 см–1, которая обуслов-лена процессами на границе раздела фоторезист/кремний. Показано, что при увеличении толщины фото-резистивной пленки от 2,62 мкм до 5,9 мкм кромочный валик (утолщение у края пластины) увеличивается на порядок.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Преч Э., Бюльманн Ф., Аффольтер К. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных. – М.: Мир: БИНОМ. Лаб. знаний, 2006. – 439 c.
Тарасевич Б. Н. ИК спектры основных классов органических соединений: справ. материалы. – М.: МГУ, 2012. – 55 c.
Трансформация спектров нарушенного полного внутреннего отражения в процессе сушки диазохинон-новолачного фоторезиста / Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович // Микроэлектроника. – 2021. – Т. 50, № 4. – С. 274–280. – DOI: 10.31857/S0544126921040037.
Garcia I. T. S., Zawislak F. C., Samios D. The effects of nuclear and electronic stopping powers on ion irradiated novolac–diazoquinone films // Applied Surface Science. – 2004. – Vol. 228, iss. 1–4. – P. 63–76. – DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.12.027.
Brinkevich D. I., Brinkevich S. D., Prosolovich V. S. Ion Implantation in Diazoquinone–Novolac Photoresist // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56, iss. 4. – P. 270–276. – DOI: 10.1134/s0018143922040051.
Modification of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films beyond the Region of Implantation of B+ Ions / S. D. Brinkevich, E. V. Grinyuk, D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich // High energy chemistry. – 2020. – Vol. 54, iss. 5. – P. 342–351. – DOI: 10.1134/S0018143920050045.
Инфракрасная Фурье-спектроскопия диффузного отражения пленок негативных фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Колос и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2024. – № 2(43). – C. 34–40. – DOI: 10.52928/2070-1624-2024-43-2-34-40.
Отражательно-абсорбционная ИК Фурье-спектроскопия фоторезистивных пленок на кремнии / Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович и др. // Приборы и методы измерений. – 2025. – Т. 16, № 1. – С. 69–76. – DOI: 10.21122/2220-9506-2025-16-1-69-76.
Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239. – DOI: 10.1134/S0544126919020029.
Stabilizing Treatment of Negative Photoresist Films of the AZ nLOF20XX Series on Silicon / V. S. Prosolovich, D. I. Brinkevich, E. V. Grinyuk et al. // Russian Microelectronics. – 2025. – Vol. 54, iss. 6. – Р. 589–594. – DOI: 10.1134/S106373972560089X.
Attenuated Total Reflection Spectra of Nitrided SiO2/Si Structures / V. B. Odzhaev, A. N. Pyatlitski, V. S. Prosolovich et al. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2022. – Vol. 89, iss. 4. – P. 665–670. – DOI: 10.1007/s10812-022-01408-3.
Poljansek I., Sebenik U., Krajnc M. Characterization of phenol-urea-formaldehyde resin by inline FTIR spectroscopy // Journal of Applied Polymer Science. – 2006. – Vol. 99, iss. 5, – P. 2016–2028. – DOI: 10.1002/app.22161.
Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии / Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, С. Д. Бринкевич и др. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2023. – Т. 90, № 6. – С. 863–869.
Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника. – 2025. – Т. 54, № 1. – С. 55–63. – DOI: 10.31857/S0544126925010068.
Brinkevich D. I., Brinkevich S. D., Prosolovich V. S. Ion Implantation in Diazoquinone–Novolac Photoresist // High Energy Chemistry. – 2022. – Vol. 56, iss. 4. – P. 270–276. – DOI: 10.1134/s0018143922040051.
Frustrated total internal reflection spectra of diazoquinone-novolac photoresist films / S. D. Brinkevich, D. I. Brinkevich, V. S. Prosolovich et al. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2021. – Vol. 87, iss. 6 – P. 1072–1078. – DOI: 10.1007/s10812-021-01111-9.
Аскадский А. А., Кондрашенко В. И. Компьютерное материаловедение полимеров: в 2 т. – М.: Научный мир, 1999. – Т. 1: Атомно-молекулярный уровень. – 544 с.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ ФП9120-КРЕМНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- С. А. АБРАМОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ОБРАТНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- А. А. ХАРЧЕНКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ БОРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2014)
- В. Б. ОДЖАЕВ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, В. Ю. ЯВИД, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Б. К. ИСМАЙЛОВ, З. Т. КЕНЖАЕВ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, И. А. ЗУР, Ю. А. ФЕДОТОВА, Е. Е. ШМАНАЙ, Е. Д. МИЦКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Е. Д. БУРЫЙ, С. Б. ЛАСТОВСКИЙ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ γ-КВАНТАМИ 60Со СТРУКТУР DLC/ПОЛИИМИД, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- О. О. ЛАТИЙ, В. В. БУСЛЮК, С. С. ДЕРЕЧЕННИК, В. А. ЕМЕЛЬЯНОВ, О. В. КОЧЕРГИНА, В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, МЕТОДЫ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ШУМОВЫХ ДИОДОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, А. И. ПРОСТОМОЛОТОВ, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В ФОТОРЕЗИСТЕ ЗА СЛОЕМ ВНЕДРЕНИЯ ИОНОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2013)
- А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛИМЕРОВ МОДИФИЦИРОВАННОЙ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКОЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2013)
- С. А. АБРАМОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, И. В. КОНДРУСЬ, ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2026)