PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST ON SILICON
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Photoresist FP9120 – silicon structures irradiated with 60Co γ-quanta at doses up to 300 kGy were studed by the microindentation method. Irradiation with γ-quanta leads to a decrease in the microhardness of the photoresist – silicon structures at loads of 5 g and higher. This is due to the deterioration in the adhesion of the film of diazoquinone-novolac photoresist FP9120 to silicon after γ-irradiation. Changes in the strength and adhesive properties of the photoresist – silicon structures were observed at doses of γ-quanta above 200 kGy The specific peeling energy G of the 1.0 μm thick photoresist films decreases after irradiation with γ quanta by a factor of 1.5–4, which is most likely due to the breaking of Si–O–C bonds at the photoresist – silicon interface.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. –Ч. 2. – 632 с.
Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д.И. Бринкевич [и др.]. // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.
DNQ-novolac photoresist revisited: 1H and 13C NMR evidence for a novel photoreaction mechanism / Roy Debmalya [et al.] // Magnetic resonance in chemistry. – 2003. – V. 41. – P. 84–90.
Серия позитивных фоторезистов ФП-9120-1.0; ФП-9120-1.8; ФП-9120-2.0 : ТУ 2378-015-29135749-2015 : Введ 28.09.15. – М. : ЗАО «Фраст-М», 2015. – 45 с.
Adhesion of diazoquinon-novolac photoresist films with implanted boron and phosphorus ions to single-crystal silicon / S.A. Vabishchevich [et al.] // High energy chemistry. – 2020. – V. 54, № 1. – P. 46–50.
Механизм адгезионного взаимодействия пленок диазохинон-новолачного фоторезиста с монокристаллическим кремнием/ Бринкевич С.Д. [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2020. – T. 87, № 4. – С. 589–594.
Прочностные свойства структур фоторезист ФП9120 – кремний / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2014. – № 12. – C. 69–73.
Микротвердость пленок полиимида и полиэтилентерефталата, облученных гамма-квантами 60Co / Д.И. Бринкевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2017. – № 12. – C. 30–34.
Measuring mechanical properties of coatings: a methodology applied to nano-particle-filled sol-gel cjating on glass / J. Malzbender [et al.] // Materials Science and Engineering R. – 2002. – V. 36 – P. 47–103.
Анисович, А.Г. Искусство металлографии: использование методов оптического контрастирования / А.Г. Анисович // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. – 2016. – № 1. – С. 36–42.
Анисович, А.Г. Визуализация поверхности методом дифференциально-интерференционного контраста / А.Г. Анисович, И.Н. Румянцева // Литье и металлургия. – 2013. – № 3. – С. 156–162.
Анисович, А.Г. Оптические эффекты при микроскопии неметаллических материалов / А.Г.Анисович // Литье и металлургия. – 2017. – № 1. – С. 110–114.
Вабищевич, С.А. Прочностные свойства структур фоторезист – кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+/ С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2016. – № 12. – C. 30–36.
EPR Spectroscopy of Diazoquinon-Novolac Resist Films Implanted with Р+ and B+ Ions / D.I. Brinkevich [et al.] // High energy chemistry. – 2020. – V. 54, № 2. – P. 115–122.
Шугуров, А.Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом наноиндентирования / А.Р. Шугуров, А.В. Панин, К.В. Оскомов // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50, № 6. – С. 1007– 1012.
Вабищевич, С.А. Подавление радиационного упрочнения в кремнии, легированном германием / С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич // Физика и химия обработки материалов. – 2006. – № 4. – С. 12–14.
Бринкевич, Д.И. Модификация пленок диазохинонноволачного фоторезиста имплантацией ионов бора / Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский // Журн. Белорус. гос. ун-та. – 2020. – № 2. – С. 62–69.
Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнии / В.С. Просолович [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, 30 сент.–3 окт. 2019 г. – Минск : Изд. ц-р БГУ, 2019. – С. 169–171.
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)
- D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, S. VABISHCHEVICH, INFRARED FOURIER SPECTROSCOPY OF DIFFUSE REFLECTION OF THE AZ nLOF SERIES NEGATIVE PHOTORESISTS FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, STRENGTH PROPERTIES OF DIAZOQUINONE PHOTORESIST FP9120 FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON IMPLANTED WITH ANTIMONY IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)