ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА В ПЛЕНКЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В. В. ЕМЕЛЬЯНОВ
С. В. БОРДУСОВ

Аннотация

Формирование рисунка в пленке нитрида кремния включает нанесение на полупроводниковую подложку с топологическими элементами пленок диоксида кремния и нитрида кремния химическим осаждением из паро-газовой фазы, фоторезистивной маски методом стандартной фотолитографии, реактивно-ионное травление нитрида кремния во фторсодержащей плазме и удаление фоторезистивной маски. Для повышения селективность травления нитрида кремния по отношению к диоксиду, предотвращения микротренчей и повышения качества фотолитографического рисунка после формирования пленки нитрида кремния проводят обработку пленки 1-5 импульсами ближнего инфракрасного излучения длительностью от 0,05 до 0,5 с при интенсивности от 0,2 до 1,0 Дж/см2.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
(1)
ЕМЕЛЬЯНОВ, В. В.; БОРДУСОВ, С. В. ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА В ПЛЕНКЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия B. Промышленность. Прикладные науки 2022, 46, 31-37.
Раздел
Машиноведение и машиностроение
Биография автора

С. В. БОРДУСОВ, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск

д-р техн. наук, проф.

Библиографические ссылки

Berlin, Ye.V. & Seydman, L.A. (2010). Ionno-plazmennyye protsessy v tonkoplenochnoy tekhnologii [Ion-plasma processes in thin-film technology]. Moscow: Tekhnosfera. (In Russ.).

Obizhayev, D.YU. (2008). Struktura i svoystva funktsionalʹnykh sloyev nitrida kremniya na razlichnykh stadiyakh ikh formirovaniya v tekhnologii ustroystv nano- i mikrosistemnoy tekhniki [Structure and properties of silicon nitride functional layers at various stages of their formation in the technology of nano- and microsystem technology devices]. Moscow: MATI. (In Russ.).

Turtsevich, A.S. & Yemelʹyanov, A.S. (2007). Formirovaniye iz gazovoy fazy funktsionalʹnykh sloyev integralʹnykh mikroskhem [Formation of functional layers of integrated circuits from the gas phase]. Minsk: Integralpoligraf. (In Russ.).

Abdulayev, D.A., Zaytsev, A.A. & Kelʹm, Ye.A. (2014). Selektivnoye plazmokhimicheskoye travleniye nitrida kremniya otnositelʹno oksida kremniya [Selective plasma-chemical etching of silicon nitride relative to silicon oxide]. Nanoi mikrosistemnaya tekhnika [Nano- and microsystem technology], (2), 17–19. (In Russ., abstr. in Engl.).

Yemelʹyanov, V.V., Yemelʹyanov, V.A, Baranov, V.V. & Buslyuk, V.V. (2021). Formirovaniye stabilʹnoy defektnoy strukturyv kremniyevykh diodakh generatora shuma [Formation of a stable defect structure in silicon diodes of a noise generator].

Izvestiya NANB. Seriya fiziko-tekhnicheskikh nauk [Izvestiya NASB. Series of physical and technical sciences], (2), 145–153. (In Russ., abstr. in Engl.).

Dostanko, A.P., Avakov, S.M., Golosov, D.A., Yemelʹyanov, V.V., Zavadskiy, S.M., Kolos, V.V. … Shershnev, Ye.B. (2020). In A.P. Dostanko (Eds.) Innovatsionnyye tekhnologii i oborudovaniye submikronnoy elektroniki [Innovative technologies and equipment for submicron electronics]. Minsk: Belaruskaya navuka. (In Russ.).