ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЧНОСТНЫХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ СКЛЕРОМЕТРИИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методами индентирования и склерометрии исследованы прочностные свойства структур фоторезист-кремний. Пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1,0–5,0 мкм наносились на пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Установлено, что микротвердость, определяемая методом склерометрии, на 20–40 % больше микротвердости, полученной методом микроиндентирования. При использовании нагрузки, равной 1–2 г, более точные значения микротвердости измерены методом склерометрии. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанного различий – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет
канд. физ.-мат. наук, доц.
Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук
В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук, доц.
Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Полоцкий государственный университет
канд. физ.-мат. наук
Библиографические ссылки
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Наконечники и бойки алмазные к приборам для измерения твердых металлов и сплавов. Технические условия : ГОСТ 9377-81. – М. : Изд-во стандартов, 1981. – 10 с.
Измерение микротвердости царапанием алмазными наконечниками : ГОСТ 21318-75. – введ. 01.07.76 г. – М. : Изд-во стандартов, 1976. – 30 с.
Бринкевич, Д.И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, В.С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – Т. 48, № 8. – С. 878–883.
Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников : ГОСТ 9450-76. – введ. 01.01.77 г. : с изм. – М. : Изд-во стандартов, 1993. – 35 с.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. Б. ОДЖАЕВ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2014)
- А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, И. А. ЗУР, Ю. А. ФЕДОТОВА, Е. Е. ШМАНАЙ, Е. Д. МИЦКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Е. Д. БУРЫЙ, С. Б. ЛАСТОВСКИЙ, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ γ-КВАНТАМИ 60Со СТРУКТУР DLC/ПОЛИИМИД, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- В. Б. ОДЖАЕВ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, В. Ю. ЯВИД, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Б. К. ИСМАЙЛОВ, З. Т. КЕНЖАЕВ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- С. А. АБРАМОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ОБРАТНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- О. О. ЛАТИЙ, В. В. БУСЛЮК, С. С. ДЕРЕЧЕННИК, В. А. ЕМЕЛЬЯНОВ, О. В. КОЧЕРГИНА, В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, МЕТОДЫ ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ШУМОВЫХ ДИОДОВ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, О. А. ЗУБОВА, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ KMP E3502 НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2025)