POLYIMIDE FILMS IMPLANTED BY B+ IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The surface modification of the polyimide films implanted by B+ with an energy of 100 keV was investigated by the atomic force microscopy, the reflection spectra measurements and the indentanion methods. It is experimentally shown that the ion implantation process is modified thin surface polyimide layer not only implanted side but with the reverse (non-irradiation) film side, whereas in the bulk properties of the polymer material was not changed. This may be due to rearrangement of metastable defects have formed during manufacture of the film, and simultaneous elastic stress relaxation leading to a change in mechanical properties and surface morphology.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Photoimageable nozzle members and methods relating thereto: pat. 8173031 US, publication 08.05.2012 / S.T. Weaver, R. Wells; Lexmark International, Inc.
Photoimageable, aqueous acid soluble polyimide polymers: pat. 6559245 US, publication 06.05.2003 / Guoping Mao, N.L.D. Somasiri, N. A. Stacey; 3M Innovative Properties Company.
Heat resistant photoresist composition and process for preparing the same: pat. 4180404 US Dec 25, 1979 / Takeo Kimura, Muneaki Kimura, Kaoru Ohmura, Ichiro Shibasaki; Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha
Photoimageable polyimide coating: pat. 5599655 US, publication 04.02.1997 / D.D. Ngo; Amoco Corporation.
Adhesively bonded photostructurable polyimide film: pat. 4935320 US, publication 19.06.1990 / Ottmar Rohde, Armin Schaffner; Ciba-Geigy Corporation
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы / У. Моро: в 2-х ч. Ч. 2. – М.: Мир, 1990. – 632 с. (Moreau W.M. Semiconductor lithography. Principles, practices and materials. – N.Y., London: Plenum Press).
Технология СБИС / под. ред. С. Зи: в 2-х кн. Кн. 1. – М.: Мир, 1986. – С. 292–353.
Садовский, П.К. Структурные и электрофизические параметры сильно легированных слоев кремния n-типа, создаваемых ионной имплантацией / П.К. Садовский [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – Т. 42, № 1. – С. 50–55.
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М.: Мир, 1988. – 246 с. (Grassie N., Scott G. Polymer degradation and stabilisation. – Cambridge, London, N.Y. e. a.: Cambridge University Press, 1985).
Исследование поверхности полимеров модифицированной радиационной обработкой / А.А. Харченко [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Серия С. Фундаментальные науки. – 2013. – № 12. – C. 83–90.
Исследование поверхности пленок из полиэтилентерефталата, модифицированных вакуумно-ультрафиолетовым облучением на воздухе / А.В. Митрофанов [и др.] // Поверхность. – 2009. –
№ 7. – С. 30–38.
Оптические свойства пленок полиимида, имплантированных ионами серебра / Ю.А. Бумай [и др.] // Материалы, технологии, инструменты. – 2010. – Т. 15, № 4. – С. 54–58.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М.: МГУ, 2009. – С. 169–178.
Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А.В. Ельцова. – Л.: Химия, 1985. – 296 с.
Структура поверхностных слоев полипирометиллитимида, модифицированных щелочами / М.М. Котон [и др.] // Докл. АН СССР. – 1982. – Т. 26, № 3. – С. 660–664.
Радиационная модификация полиимида в процессе субмикронной рентгенолитографии / В.П. Назьмов [и др.] // Поверхность. – 2002. – № 12. – С. 16–20.
Физико-механические свойства кремния вблизи границы раздела SiO2–Si / Д.И. Бринкевич и [др.] // Поверхность. – 2013. – № 12. – С. 109–112.
Попок, В.Н. Влияние высоких доз имплантации и плотности ионного тока на свойства пленок полиимида / В.Н. Попок, И.И. Азарко, Р.И. Хайбуллин // Журнал технической физики. – 2002. – Т. 72, № 4. – C. 88–93.
Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных пленок / В.В. Сухоруков [и др.] // Поверхность. – 1991. – № 5. – С. 92–96.
Рудченко, С.О. Влияние условий синтеза на структуру и свойства алмазоподобных углеродных пленок для ФЭП / С.О. Рудченко, В.Е. Пуха, В.В. Стариков // Вiсник ХНУ. – 2012. – № 16. – С. 89–93.
Ziegler, J.F. The stopping and range of ions in solids / J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. – New York, 1985 (SRIM-2010 software at http:// www.srim.org).
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, A. KHARCHENKO, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, S. BRINKEVICH, REFLECTION SPECTRA OF Γ-IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAK PHOTORESIST, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, FILMS OF POSITIVE DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FP9120 IMPLANTED WITH SILVER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2023)
- A. VASUKOV, S. VABISHCHEVICH, N. SUKHOVILO, N. VABISHCHEVICH, RESEARCH OF SURFACE OF ASPHALTENES BY ATOMIC-POWER MICROSCOPY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- S. VABISHCHEVICH, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, G.A. ESPINOZA de los MONTEROS, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC RESIST ON SILICON DURING IMPLANTATION OF Ag+ IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF ELECTRON IRRADIATED FILMS OF NEGATIVE NOVOLAC PHOTORESISTS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2023)
- D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, A. KHARCHENKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MICROHARDNESS OF POLYIMIDE AND POLYETHYLENE TEREPHTHALATE FILMS IRRADIATED WITH 60Co GAMMA QUANTA, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- V. GOLOVCHUK, A. KHARCHENKO, D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, STRUCTURAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF CARBON-CONTAINING SILICATE GLASS IMPLANTED BY COPPER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- S. DOBROVOLSKI, A. SAVKOV, D. BRINKEVICH, S. BRINKEVICH, N. VABISHCHEVICH, IMPURITY RADIONUCLIDES AT A RADIOPHARMACEUTICAL PRODUCTION BASED ON A 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN PYROLITIC GRAPHITE FILMS USED IN THE COMMERCIAL CYCLOTRON BEAM OUTPUT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2019)
- D. BRINKEVICH, S. VABISHCHEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, MODIFICATION OF THE SURFACE LAYERS OF SILICON SINGLE CRYSTALS IMPLANTED WITH B+ AND P+ IONS AT THE CREATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY CMOS TECHNOLOGY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2015)