ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5×1016 – 1,0×1017 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5·1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Moreau, W. M. (1988). Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. N.Y.; London: Plenum Press.
Brinkevich, S. D., Grinyuk, E. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Modification of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films beyond the Region of Implantation of B+ Ions. High energy chemistry, 54(5), 342–351. DOI: 10.1134/S0018143920050045.
Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Adhesion of Irradiated Diazoquinone-Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. High Energy Chemistry, 55(6), 495–501. DOI: 10.1134/S0018143921060151.
Vabishchevich, S., Brinkevich, S., Prosolovich, V., Vabishchevich, N., & Brinkevich, D. (2020). Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(6), 1352–1357. DOI: 10.1134/S1027451020060476.
Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Brinkevich, S. D., Odzaev, V. B., & Yankovski, Yu. N. (2020). Kharchenko, A. A. Radiation-Stimulated Transformation of the Reflectance Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Antimony Ions. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(3), 558–561. DOI: 10.1134/S1027451020030283.
Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions. Russian Microelectronics, 50(1), 33–38. DOI: 10.1134/S1063739720060025.
Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2022). Ion Implantation in Diazoquinone-Novolac Photoresist High Energy Chemistry, 56(4), 270–276. DOI: 10.1134/S0018143922040051.
Brinkevich, D. I., Vabishchevich, N. V., & Vabishchevich, S. A. (2010). Fiziko-mekhanicheskie svoistva epitaksial'nykh sloev fosfida galliya [Physicomechanical Properties of Epitaxial Layers Gallium Phosphide]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 92–97. (In Russ., abstr. in Engl.).
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Fiziko-mekhanicheskie svoistva obluchennykh plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista na kremnii [Physical and Mechanical Properties of Irradiated Films of Diazoquinone-Novolach Photoresist on Silicon]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 60–64. (In Russ., abstr. in Engl.).
Shugurov, A. R., Panin, A. V., & Oskomov, K. V. (2008). Osobennosti opredelenija mehanicheskih harakteristik tonkih plenok metodom nanoindentirovanija. Fizika tverdogo tela [Physics of the Solid State], 50(6), 1007–1012. (In Russ.).
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2016). Mikrotverdost' plenok sopolimerov na osnove metilmetakrilata, obluchennykh γ-kvantami [Microhardness of γ-Irradiated Films of Copolymers Based on Methyl Methacrylate]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 51–57. (In Russ., abstr. in Engl.).
Brinkevich, D. I., Kharchenko, A. A., Brinkevich, S. D., Lukashevich, M. G., Odzhaev, V. B., Valeev, V. F., … Khaibullin, R. I. (2017). Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films. Journal of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 11(4), 801–806. DOI: 10.1134/S1027451017040188.
Vabishсhevich, S.A., Vabishсhevich, N.V., Espinoza de los Monteros, Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Radiaczionno-induczirovannye proczessy v plenkakh diazokhinon-novolachnogo rezista na kremnii pri implantaczii ionov Ag+ [Radiation-induced processes in films of diazoquinone-novolac resist on silicon during implantation of Ag+ ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 43–47.
Debmalya, R., Basu, P. K., Raghunathan, P., & Eswaran, S. V. (2003). DNQ-novolac photoresist revisited: 1H and 13C NMR evidence for a novel photoreaction mechanism. Magnetic resonance in chemistry, 41(2), 84–90. DOI: 10.1002/mrc.1134.
Brinkevich D. I., Brinkevich S. D., Vabishchevich N. V., Odzhaev V. B., & Prosolovich V. S. (2014). Ionnaya implantatsiya pozitivnykh fotorezistov [Ion implantation of positive photoresists]. [Russian Microelectronics], 43(3), 194–200. DOI: 10.1134/S106373971401003X. (In Russ.).
Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2023). Radiaczionno-induczirovannaya modifikacziya spektrov otrazheniya plenok diazokhinonno-volachnogo fotorezista pri implantaczii ionov Ag+. Khimiya vysokikh energij [High energy chemistry], 57(6), 456–471. DOI: 10.31857/S0023119323060062. (In Russ.).
Ostrovskii, V. S. (2009). Hardness of Carbon Materials. Solid Fuel Chemistry, 43(5), 314–317. DOI: 10.3103/S0361521909050103.
Korshunov, S. N., Lebedev, A. M., Martynenko. Yu. V., Svechnikov, N. Yu., & Skorlupkin, I. D. (2019). Izmenenie struktury osazhdaemykh uglerodnykh plenok pri elektronnom assistirovanii [Structure Changes in Carbon Films Obtained by Electron-Beam Assisted Deposition]. Poverkhnost. Rentgenovskie, sinhrotronnye i neitronnye issledovamiya [Journal of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques], (4), 56–64.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д, И. БРИНКЕВИЧ, НАКОПЛЕНИЕ РАДИОНУКЛИДОВ В СМЕННЫХ ДЕТАЛЯХ И ВОДНОЙ МИШЕНИ ЦИКЛОТРОНА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОПТИЧЕСКИЕ И ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ЖЕРТВЕННЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ПОЛИИМИДНЫХ ПЛЕНОК, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. Ю. ЗМИТРОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. Н. ШАБАНОВ, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)
- В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, Н. С. КОВАЛЬЧУК, Я. А. СОЛОВЬЕВ, Д. В. ЖИГУЛИН, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ЛОКАЛИЗАЦИЯ АТОМОВ АЗОТА В СТРУКТУРАХ Si–SiO2, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2020)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2020)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, В. О. КРОТ, А. Я. МАЛИБОРСКИЙ, ДОЛГОЖИВУЩИЕ β-ИЗЛУЧАЮЩИЕ РАДИОНУКЛИДЫ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ РАДИОФАРМПРЕПАРАТОВ НА ОСНОВЕ 18F, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)