РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО
Д. И. БРИНКЕВИЧ
В. С. ПРОСОЛОВИЧ

Аннотация

Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами серебра c энергией 30 кэВ дозами 2,5х1016–1х1017-2. Показано, что в процессе имплантации ионами Ag+ структур фоторезист – кремний происходит трансформация спектра НПВО, выражающаяся в перераспределении интенсивности колебаний С–О–Н-групп, смещении в высокоэнергетическую область и расширении полосы, обусловленной валентными колебаниями С=О. Установлено, что имплантация приводит к снижению интенсивности полосы связанных валентных колебаний О–Н-групп и смещению максимума указанной полосы в низкоэнергетическую область. Обнаружено снижение интенсивности полос поглощения остаточного формальдегида, обусловленное его испарением при имплантации в вакууме. Имплантация Ag+ замедляет «старение» фоторезиста, что обусловлено, вероятнее всего, формированием при ионной имплантации у поверхности фоторезиста компактного механически устойчивого углеродистого слоя, препятствующего проникновению видимого излучения и газов из атмосферы.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ВАБИЩЕВИЧ, С. А., ВАБИЩЕВИЧ, Н. В., ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Г. А., БРИНКЕВИЧ, Д. И., & ПРОСОЛОВИЧ, В. С. (2020). РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (4), 43-47. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/444
Выпуск
Раздел
Физика
Биографии авторов

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Просолович, В.С. Основы современных технологических процессов : курс лекций / В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский, Д.И Бринкевич. – Минск : БГУ, 2011. – 135 с.

Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. –Ч. 2. – 632 с.

Kondyurin, A. Ion beam treatment of polymers: application aspects from medicine to space / A. Kondyurin, M. Bilek. –Amsterdam : Elsevier, 2015. – 256 p.

Ion implantation of positive photoresists / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2014. – V. 43, № 3. – P. 194–200.

Модификация приповерхностной области пленки полиимида имплантацией ионов бора / А.А. Харченко [и др.]. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 1. – С. 94–99.

Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films / D.I. Brinkevich [et al.]. // J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques – 2017. – V. 11, № 4. – P. 801–806.

Reflection spectra modification of diazoquinone-novolak photoresist implanted with B and P ions / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2019. – V. 48, № 3. – P. 197–201.

Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора / С.А. Вабищевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 1. – С. 54–59

Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте / А.Н. Олешкевич [и др.]. //Микроэлектроника. – 2020 – Т. 49, № 1. – С. 58–65.

ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста / Д.И. Бринкевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T.54, № 2. – С. 126–134.

Беккер, Ю. Спектроскопия / Ю. Беккер. – М. : Техносфера, 2009.

Преч, Э. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных / Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер – М. : Мир : Бином, 2006. – 438 с.

Физико-химические свойства полупроводниковых веществ : справочник / А.В. Новоселова [и др.]. – М. : Наука, 1979. – 340 с.

Тарасевич, Б.Н. ИК спектры основных классов органических соединений : справ. материалы / Б.Н. Тарасевич – М. : МГУ, 2012. – 54 с.

Инфракрасные спектры и структура молекулярных комплексов ароматических кислот / М.В. Бельков [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 78, № 6. – С. 851–858.

Инфракрасные спектры бензальдегида и его производных в разных агрегатных состояниях / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Оптика и спектроскопия. – 2012. – Т. 113, № 2. – С. 202–207.

Водородные связи и противовирусная активность производных бензальдегида / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 79, № 4. – С. 658–663.

Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнии / В.С. Просолович [и др.]. // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, 30 сент.–3 окт. 2019 г. – Минск : Изд. ц-р БГУ, 2019. – С. 169–171.

Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. М. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 446 с.