РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 128
Загрузок PDF: 55
pdf (rus)
Опубликован: май 6, 2020
Ключевые слова:
диазохинон-новолачный резист, имплантация, ионы серебра, спектры нарушенного полного внутреннего отражения diazoquinone-novolac resist, implantation, silver ions, spectra of impaired total internal reflection
Выпуск
№ 4 (2020)
Раздел
Физика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет
Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО
Белорусский государственный университет, Минск
Д. И. БРИНКЕВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск

Аннотация

Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами серебра c энергией 30 кэВ дозами 2,5х1016–1х1017 cм-2. Показано, что в процессе имплантации ионами Ag+ структур фоторезист – кремний происходит трансформация спектра НПВО, выражающаяся в перераспределении интенсивности колебаний С–О–Н-групп, смещении в высокоэнергетическую область и расширении полосы, обусловленной валентными колебаниями С=О. Установлено, что имплантация приводит к снижению интенсивности полосы связанных валентных колебаний О–Н-групп и смещению максимума указанной полосы в низкоэнергетическую область. Обнаружено снижение интенсивности полос поглощения остаточного формальдегида, обусловленное его испарением при имплантации в вакууме. Имплантация Ag+ замедляет «старение» фоторезиста, что обусловлено, вероятнее всего, формированием при ионной имплантации у поверхности фоторезиста компактного механически устойчивого углеродистого слоя, препятствующего проникновению видимого излучения и газов из атмосферы.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ВАБИЩЕВИЧ, С. А., ВАБИЩЕВИЧ, Н. В., ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Г. А., БРИНКЕВИЧ, Д. И., & ПРОСОЛОВИЧ, В. С. (2020). РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (4), 43-47. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/444
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Просолович, В.С. Основы современных технологических процессов : курс лекций / В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский, Д.И Бринкевич. – Минск : БГУ, 2011. – 135 с.

Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. –Ч. 2. – 632 с.

Kondyurin, A. Ion beam treatment of polymers: application aspects from medicine to space / A. Kondyurin, M. Bilek. –Amsterdam : Elsevier, 2015. – 256 p.

Ion implantation of positive photoresists / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2014. – V. 43, № 3. – P. 194–200.

Модификация приповерхностной области пленки полиимида имплантацией ионов бора / А.А. Харченко [и др.]. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 1. – С. 94–99.

Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films / D.I. Brinkevich [et al.]. // J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques – 2017. – V. 11, № 4. – P. 801–806.

Reflection spectra modification of diazoquinone-novolak photoresist implanted with B and P ions / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2019. – V. 48, № 3. – P. 197–201.

Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора / С.А. Вабищевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 1. – С. 54–59

Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте / А.Н. Олешкевич [и др.]. //Микроэлектроника. – 2020 – Т. 49, № 1. – С. 58–65.

ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста / Д.И. Бринкевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T.54, № 2. – С. 126–134.

Беккер, Ю. Спектроскопия / Ю. Беккер. – М. : Техносфера, 2009.

Преч, Э. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных / Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер – М. : Мир : Бином, 2006. – 438 с.

Физико-химические свойства полупроводниковых веществ : справочник / А.В. Новоселова [и др.]. – М. : Наука, 1979. – 340 с.

Тарасевич, Б.Н. ИК спектры основных классов органических соединений : справ. материалы / Б.Н. Тарасевич – М. : МГУ, 2012. – 54 с.

Инфракрасные спектры и структура молекулярных комплексов ароматических кислот / М.В. Бельков [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 78, № 6. – С. 851–858.

Инфракрасные спектры бензальдегида и его производных в разных агрегатных состояниях / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Оптика и спектроскопия. – 2012. – Т. 113, № 2. – С. 202–207.

Водородные связи и противовирусная активность производных бензальдегида / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 79, № 4. – С. 658–663.

Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнии / В.С. Просолович [и др.]. // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, 30 сент.–3 окт. 2019 г. – Минск : Изд. ц-р БГУ, 2019. – С. 169–171.

Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. М. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 446 с.

Рекомендуемые статьи автора (авторов)

1 2 3 4 > >>