P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 12
Загрузок PDF: 14
pdf (rus)
Опубликован: окт 31, 2025
DOI: https://doi.org/10.52928/2070-1624-2025-45-2-50-57
Ключевые слова:
p-i-n-фотодиод, генерационно-рекомбинационные процессы, геттерирующие примеси, ионная имплантация, термообработка p-i-n photodiode, generation-recombination processes, gettering impurities, ion implantation, heat treatment
Выпуск
№ 2 (2025)
Раздел
Электрофизика, электрофизические установки (технические науки)

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В. Б. ОДЖАЕВ
Белорусский государственный университет, Минск
А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
Д. В. ШЕСТОВСКИЙ
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
В. Ю. ЯВИД
Белорусский государственный университет, Минск
Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ
Белорусский государственный университет, Минск
Б. К. ИСМАЙЛОВ
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Узбекистан
З. Т. КЕНЖАЕВ
Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Узбекистан
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой

Аннотация

Исследованы вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттеры, сформированные имплантацией ионов бора или сурьмы, на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением имплантации примесей в непланарную сторону пластины. Показано, что после формирования геттера электрофизические параметры приборов существенно зависят как от вида внедренных ионов, так и режимов последующих преципитирующего и диффузионного отжигов. Это обусловлено, с одной стороны, геттерированием технологических примесей, которые создают глубокие генерационно- рекомбинационные центры и определяют величину обратного темнового тока p-i-n-фотодиодов. С другой стороны, существенное влияние на величину напряжения пробоя и предпробойный участок вольт-амперной характеристики оказывают процессы дефектно-примесного взаимодействия между радиационными и посттехнологическими дефектами типа дислокаций, микродефектов и т. п. Наличие на вольт-амперных характеристиках p-i-n-фотодиодов ступенчатых участков свидетельствует о термической генерации носителей заряда с глубоких энергетических уровней неоднородно распределенных структурных дефектов и технологических примесей в области пространственного заряда p-i-n-фотодиодов.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ОДЖАЕВ, В. Б., ПЕТЛИЦКИЙ, А. Н., ПРОСОЛОВИЧ, В. С., ШЕСТОВСКИЙ, Д. В., ЯВИД, В. Ю., ЯНКОВСКИЙ, Ю. Н., ИСМАЙЛОВ, Б. К., КЕНЖАЕВ, З. Т., & ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. (2025). P-I-N-ФОТОДИОДЫ С ГЕТТЕРАМИ, СОЗДАННЫМИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ ОСНОВНЫХ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (2), 50-57. https://doi.org/10.52928/2070-1624-2025-45-2-50-57
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

В. Б. ОДЖАЕВ, Белорусский государственный университет, Минск

д-р физ.-мат. наук, проф.

А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск

канд. физ.-мат наук, доц.

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат наук, доц.

Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск

канд. физ.-мат наук

В. Ю. ЯВИД, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

Б. К. ИСМАЙЛОВ, Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Узбекистан

д-р философии (PhD) по физ.-мат. наукам, доц.

З. Т. КЕНЖАЕВ, Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова, Узбекистан

д-р философии (PhD) по физ.-мат. наукам, доц.

Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Библиографические ссылки

Imaging lidars for space applications / J. Pereira do Carmo, B. Moebius, M. Pfennigbauer et al. // Novel Optical Systems Design and Optimization XI. – 2008. – Vol. 7061. – P. 70610J-01‒70610J-12.

Intersatellite link for earth observation satellites constellation / P. M. De Carlo, L. Roberto, G. Marano et al. // SPACEOPS, Roma, Italy. – 2006. – P. 19–23.

Semiconductor Devices: Physics and Technology / ed.: S. M. Sze, M.-K. Lee – 3th ed. – Hoboken, NJ: Wiley, 2012. – 592 p.

Springer Handbook of Lasers and Optics: Springer Handbooks / ed.: Träger. F. – Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2012. – 1694 p.

p-i-n Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time / Yu. G. Dobrovolsky, O. P. Andreeva, M. S. Gavrilyak et al. // Journal of Nano-& Electronic Physics. – 2018. − Vol. 10, iss. 4. – P. 04019-1–04019-5.

Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. – М.: Металлургия.1984. – 256 c.

Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы / П. К. Садовский, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев и др. // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, № 1. – С. 22–25.

Sah C. T., Noyce R. N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics / Proceedings of the IRE. – 1957. – Vol. 45, iss. 9. – P. 1228–1243.

Seebauer E. G., Kratzer M. C. Charged semiconductor defects: structure, thermodynamics and diffusion / Springer Science & Business Media, 2008. – 312 p.

Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. – Л.: Энергия, 1980. – 152 с.

Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. ‒ М.: Металлургия, 1984. – 256 с.

Таланин В. И., Таланин И. Е. Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния // Физика твердого тела. – 2013. – Т. 55, вып. 2. – С. 247–251.

Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк, В. Б. Оджаев, А. К. Панфиленко и др. // Микроэлектроника. – 2020. – Т. 49, № 4. – С. 315–320.

Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов / Н. С. Ковальчук, С. Б. Ластовский, В. Б. Оджаев и др. // Микроэлектроника. – 2023. – Т. 52, № 4. – С. 307–314.

Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л. С. Смирнова. – Новосибирск: Наука, 1980. – 296 с.

Вавилов B. C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука. 1990. – 216 с.

Рекомендуемые статьи автора (авторов)

<< < 1 2 3 4 > >>