МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ В + И Р + В ПРОЦЕССЕ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО КМОП ТЕХНОЛОГИИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методами масс-спектрометрии вторичных ионов, измерений поверхностного сопротивления и микротвердости проведены исследования свойств приповерхностной (рабочей) области пластин монокристаллического кремния, имплантированных ионами бора и фосфора с целью формирования сильнолегированных «карманов» КМОП-структур. Обнаружено приповерхностное упрочнение монокристаллов при имплантации. Аморфизация имплантированной области кремния снижает микротвердость приповерхностного слоя. Быстрый термический отжиг приводит к разупрочнению приповерхностной области монокристалла кремния на глубине до 1 мкм и увеличению трещиностойкости (росту K1С и γ) при малых нагрузках. Полученные экспериментальные результаты объяснены с учетом генерации вакансий в процессе быстрого термического отжига.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук
С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет
канд. физ.-мат. наук, доц.
В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук, доц.
Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук
Библиографические ссылки
Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 1 / под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – С. 235–353.
Колесников, Ю.В. Механика контактного разрушения / Ю.В. Колесников, Е.М. Морозов. – М.: Наука, 1989. – 220 с.
Соколов, В.И. Некоторые характеристики пористого кремния (отражение, рассеяние, показатель преломления, микротвердость) / В.И. Соколов, А.И. Шелых // Письма в ЖТФ. – 2008. – Т. 34, № 5. – С. 34–39.
Patent 6686620 US, primary class 438/473 / R.J. Falster, M.J. Binns, H.W. Korb; publication 03.02.2004.
Voronkov, V.V. Effect of vacancies on nucleation of oxide precipitates in silicon / V.V. Voronkov, R. Falster // Materials science in semiconductor processing. – 2003. – V. 5 – P. 387–390.
Головин, Ю.И. Недислокационная пластичность и ее роль в массопереносе и формировании отпечатка при динамическом индентировании / Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова // Физика твердого тела. – 2006. – Т. 48, № 2. – С. 262–265.
Головин, Ю.И. Структура комплексов, ответственных за радиационно-стимулированное разупрочнение монокристаллов кремния / Ю.И. Головин, А.И. Тюрин // Физика твердого тела. – 2000. – Т. 42, № 10. – С. 1818–1820.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д, И. БРИНКЕВИЧ, НАКОПЛЕНИЕ РАДИОНУКЛИДОВ В СМЕННЫХ ДЕТАЛЯХ И ВОДНОЙ МИШЕНИ ЦИКЛОТРОНА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОПТИЧЕСКИЕ И ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ЖЕРТВЕННЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ПОЛИИМИДНЫХ ПЛЕНОК, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. Ю. ЗМИТРОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. Н. ШАБАНОВ, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)
- В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, Н. С. КОВАЛЬЧУК, Я. А. СОЛОВЬЕВ, Д. В. ЖИГУЛИН, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ЛОКАЛИЗАЦИЯ АТОМОВ АЗОТА В СТРУКТУРАХ Si–SiO2, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2020)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. И. ТАРАСИК, ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ С ПЛЕНКАМИ ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2020)