ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА КРЕМНИИ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 3
Загрузок PDF: 0
pdf (rus)
Опубликован: апр 15, 2026
DOI: https://doi.org/10.52928/2070-1624-2026-46-1-21-26
Ключевые слова:
Negative photoresist KMP E3502, silicon, microindentation, microhardness негативный фоторезист KMP E3502, кремний, микроиндентирование, микротвердость
Выпуск
№ 1 (2026)
Раздел
Электрофизика, электрофизические установки (технические науки)

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. АБРАМОВ
Белорусский государственный университет, Минск
Д. И. БРИНКЕВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой
О. А. ЗУБОВА
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
И. В. КОНДРУСЬ
Национальный детский технопарк, Минск

Аннотация

Методом индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов KMP E3502 толщиной 2,6–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Стабилизирующая обработка приводит к равномерному и однородному удалению остаточного растворителя из пленки. При этом пленка становится более плотной, что увеличивает ее прочностные и снижает упругопластические свойства, существенного изменения однородности пленки не наблюдается. Также стабилизирующая обработка повышает адгезию фоторезиста КМР Е3502 к кремниевой подложке и приводит к увеличению значений микротвердости в ~ 1,5 раза. После ионного травления наблюдается резкое возрастание неоднородности пленки фоторезиста и сильное структурирование ее поверхности, появляется сплошной массив неровностей размером ~ 10 мкм. Значения микротвердости после ионного травления возрастают в 2,2 раза по сравнению с исходной пленкой, при этом наблюдается взрывной рост (более чем в 200 раз) дисперсии распределения значений микротвердости. В ионно-травленых пленках распределение величин микротвердости существенно уширяется и кардинально отличается от гауссова. Это обусловлено «взрывным» характером испарения молекул остаточного фоторезиста, приводящим к «вспучиванию» фоторезистивной пленки.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
АБРАМОВ, С. А., БРИНКЕВИЧ, Д. И., ПРОСОЛОВИЧ, В. С., ВАБИЩЕВИЧ, С. А., ЗУБОВА, О. А., & КОНДРУСЬ, И. В. (2026). ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА КРЕМНИИ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (1), 21-26. https://doi.org/10.52928/2070-1624-2026-46-1-21-26
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой

канд. физ.-мат. наук, доц.

Crossref
Scopus
Google Scholar
Europe PMC

Библиографические ссылки

Наноматериалы и нанотехнологии / Под ред. В. Е. Борисенко, Н. К. Толочко – Мн.: Изд. центр БГУ, 2008. – С. 109–110.

Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2022. – № 4. – C. 49–55. – DOI: 10.52928/2070-1624-2022-38-4-49-55.

Индентирование пленок негативных фоторезистов для обратной литографии / С. А. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2025. – № 1(44). – C. 53–60. – DOI: 10.52928/2070-1624-2025-44-1-53-60.

Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239. – DOI: 10.1134/S0544126919020029.

Stabilizing Treatment of Negative Photoresist Films of the AZ nLOF20XX Series on Silicon / V. S. Prosolovich, D. I. Brinkevich, E. V. Grinyuk et al. // Russian Microelectronics. – 2025. – Vol. 54, iss. 6. – Р. 589–594. – DOI: 10.1134/S106373972560089X.

Adhesion of Irradiated Diazoquinone-Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon / S. A. Vabishchevich, S. D. Brinkevich, N. V. Vabishchevich et al. // High Energy Chemistry. – 2021. – Vol. 55, iss. 6 – P. 495–501. – DOI: 10.1134/S0018143921060151.

Лапшинов Б. А. Технология литографических процессов: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 2011. – 95 с.

Влияние фоновых примесей на формирование дефектов упаковки в пластинах кремния / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, С. А. Вабищевич, А. Н. Петлицкий // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 2. – С. 112–116.

Прочностные свойства нейтронно-облученных эпитаксиальных пленок CdTe / А. Т. Акобирова, С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич и др. // Журнал БГУ. Физика. – 2018. – № 1. – С.73–79.

Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника. – 2025. – Т. 54, № 1. – С. 55–63. – DOI: 10.31857/S0544126925010068.

Transformation of the Spectra of a Attenuated Total Reflection when Drying a Diazoquinone-Novolach Photoresist / D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, A. N. Petlitsky, V. S. Prosolovich // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50, iss. 4. – Р. 239–245. – DOI: 10.1134/S106373972104003X.

Fourier-IR spectroscopy of photoresist/silicon structures for explosive lithography / D. I. Brinkevich, E. V. Grinyuk, S. D. Brinkevich et al. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2024. – Vol. 90, iss. 6, – P. 1223–1228. – DOI: 10.1007/s10812-024-01657-4.

Пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510, облученные электронами / С. А. Абрамов, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2025. – № 1(44). – C. 39–46. – DOI: https://doi.org/10.52928/2070-1624-2025-44-1-39-46.

Рекомендуемые статьи автора (авторов)

<< < 1 2 3 4 5