ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА KMP E3502 НА КРЕМНИИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методом индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов KMP E3502 толщиной 2,6–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Стабилизирующая обработка приводит к равномерному и однородному удалению остаточного растворителя из пленки. При этом пленка становится более плотной, что увеличивает ее прочностные и снижает упругопластические свойства, существенного изменения однородности пленки не наблюдается. Также стабилизирующая обработка повышает адгезию фоторезиста КМР Е3502 к кремниевой подложке и приводит к увеличению значений микротвердости в ~ 1,5 раза. После ионного травления наблюдается резкое возрастание неоднородности пленки фоторезиста и сильное структурирование ее поверхности, появляется сплошной массив неровностей размером ~ 10 мкм. Значения микротвердости после ионного травления возрастают в 2,2 раза по сравнению с исходной пленкой, при этом наблюдается взрывной рост (более чем в 200 раз) дисперсии распределения значений микротвердости. В ионно-травленых пленках распределение величин микротвердости существенно уширяется и кардинально отличается от гауссова. Это обусловлено «взрывным» характером испарения молекул остаточного фоторезиста, приводящим к «вспучиванию» фоторезистивной пленки.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Наноматериалы и нанотехнологии / Под ред. В. Е. Борисенко, Н. К. Толочко – Мн.: Изд. центр БГУ, 2008. – С. 109–110.
Прочностные свойства фоторезистов для взрывной литографии / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2022. – № 4. – C. 49–55. – DOI: 10.52928/2070-1624-2022-38-4-49-55.
Индентирование пленок негативных фоторезистов для обратной литографии / С. А. Вабищевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2025. – № 1(44). – C. 53–60. – DOI: 10.52928/2070-1624-2025-44-1-53-60.
Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д. И. Бринкевич, А. А. Харченко, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239. – DOI: 10.1134/S0544126919020029.
Stabilizing Treatment of Negative Photoresist Films of the AZ nLOF20XX Series on Silicon / V. S. Prosolovich, D. I. Brinkevich, E. V. Grinyuk et al. // Russian Microelectronics. – 2025. – Vol. 54, iss. 6. – Р. 589–594. – DOI: 10.1134/S106373972560089X.
Adhesion of Irradiated Diazoquinone-Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon / S. A. Vabishchevich, S. D. Brinkevich, N. V. Vabishchevich et al. // High Energy Chemistry. – 2021. – Vol. 55, iss. 6 – P. 495–501. – DOI: 10.1134/S0018143921060151.
Лапшинов Б. А. Технология литографических процессов: учеб. пособие. – М.: МИЭМ, 2011. – 95 с.
Влияние фоновых примесей на формирование дефектов упаковки в пластинах кремния / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, С. А. Вабищевич, А. Н. Петлицкий // Микроэлектроника. – 2006. – Т. 35, № 2. – С. 112–116.
Прочностные свойства нейтронно-облученных эпитаксиальных пленок CdTe / А. Т. Акобирова, С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич и др. // Журнал БГУ. Физика. – 2018. – № 1. – С.73–79.
Пленки фоторезистов серии AZ nLOF на монокристаллическом кремнии / Д. И. Бринкевич, Е. В. Гринюк, В. С. Просолович и др. // Микроэлектроника. – 2025. – Т. 54, № 1. – С. 55–63. – DOI: 10.31857/S0544126925010068.
Transformation of the Spectra of a Attenuated Total Reflection when Drying a Diazoquinone-Novolach Photoresist / D. I. Brinkevich, S. D. Brinkevich, A. N. Petlitsky, V. S. Prosolovich // Russian Microelectronics. – 2021. – Vol. 50, iss. 4. – Р. 239–245. – DOI: 10.1134/S106373972104003X.
Fourier-IR spectroscopy of photoresist/silicon structures for explosive lithography / D. I. Brinkevich, E. V. Grinyuk, S. D. Brinkevich et al. // Journal of Applied Spectroscopy. – 2024. – Vol. 90, iss. 6, – P. 1223–1228. – DOI: 10.1007/s10812-024-01657-4.
Пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510, облученные электронами / С. А. Абрамов, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович и др. // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2025. – № 1(44). – C. 39–46. – DOI: https://doi.org/10.52928/2070-1624-2025-44-1-39-46.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, А. В. ВАСЮКОВ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПЛЕНОК ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ БОРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2018)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, ИНФРАКРАСНАЯ ФУРЬЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ ДИФФУЗНОГО ОТРАЖЕНИЯ ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ СЕРИИ AZ nLOF НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2024)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2023)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ТРЕЩИНОСТОЙКОСТЬ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ НОВОЛАЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2023)
- В. О. КРОТ, О. В. ТУГАЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, Г. В. ЧИЖ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, ОБРАЩЕНИЕ С ВОДНЫМИ РАДИОАКТИВНЫМИ ОТХОДАМИ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ РАДИОФАРМПРЕПАРАТОВ НА ОСНОВЕ 18F, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2018)
- С. И. РОГОВСКИЙ, О. В. ТАНАНА, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, ОБРАБОТКА ИЗОБРАЖЕНИЙ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОЧНОСТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2021)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, МОДИФИКАЦИЯ ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ В + И Р + В ПРОЦЕССЕ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО КМОП ТЕХНОЛОГИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2015)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ-КРЕМНИЙ, γ-ОБЛУЧЕННЫХ И ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ В+ И Р+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2016)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, А. А. ХАРЧЕНКО, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ ГАММА-ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2017)