RADIATION-INDUCED PROCESSES IN FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC RESIST ON SILICON DURING IMPLANTATION OF Ag+ IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The method of IR Fourier transform spectroscopy of impaired total internal reflection (ATR) was used to study 1,8 μm thick FP9120 diazoquinone-lacquer photoresist films implanted with 30 keV silver ions with doses of 2,5х1016–1х1017 cm-2. It was shown that during the implantation of photoresist-silicon structures with Ag+ ions, the ATR spectrum transforms, which is manifested in the redistribution of the vibration intensity of the С–О–Н groups; displacement into the high-energy region and broadening of the band due to stretching vibrations C=O. It has been established that implantation leads to a decrease in the intensity of the band of coupled stretching vibrations of the OH group and a shift of the maximum of this band to the low-energy region. A decrease in the intensity of the absorption bands of residual formaldehyde due to its evaporation during implantation in vacuum was found. Ag+ implantation slows down the “aging” of the photoresist, which is most likely due to the formation of a compact mechanically stable carbon layer during ion implantation at the photoresist surface, which prevents the penetration of visible radiation and gases from the atmosphere.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Просолович, В.С. Основы современных технологических процессов : курс лекций / В.С. Просолович, Ю.Н. Янковский, Д.И Бринкевич. – Минск : БГУ, 2011. – 135 с.
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. –Ч. 2. – 632 с.
Kondyurin, A. Ion beam treatment of polymers: application aspects from medicine to space / A. Kondyurin, M. Bilek. –Amsterdam : Elsevier, 2015. – 256 p.
Ion implantation of positive photoresists / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2014. – V. 43, № 3. – P. 194–200.
Модификация приповерхностной области пленки полиимида имплантацией ионов бора / А.А. Харченко [и др.]. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 1. – С. 94–99.
Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films / D.I. Brinkevich [et al.]. // J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques – 2017. – V. 11, № 4. – P. 801–806.
Reflection spectra modification of diazoquinone-novolak photoresist implanted with B and P ions / D.I. Brinkevich [et al.]. // Russian Microelectronics. – 2019. – V. 48, № 3. – P. 197–201.
Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора / С.А. Вабищевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 1. – С. 54–59
Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте / А.Н. Олешкевич [и др.]. //Микроэлектроника. – 2020 – Т. 49, № 1. – С. 58–65.
ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста / Д.И. Бринкевич [и др.]. // Химия высоких энергий. – 2020. – T.54, № 2. – С. 126–134.
Беккер, Ю. Спектроскопия / Ю. Беккер. – М. : Техносфера, 2009.
Преч, Э. Определение строения органических соединений. Таблицы спектральных данных / Э. Преч, Ф. Бюльманн, К. Аффольтер – М. : Мир : Бином, 2006. – 438 с.
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ : справочник / А.В. Новоселова [и др.]. – М. : Наука, 1979. – 340 с.
Тарасевич, Б.Н. ИК спектры основных классов органических соединений : справ. материалы / Б.Н. Тарасевич – М. : МГУ, 2012. – 54 с.
Инфракрасные спектры и структура молекулярных комплексов ароматических кислот / М.В. Бельков [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 78, № 6. – С. 851–858.
Инфракрасные спектры бензальдегида и его производных в разных агрегатных состояниях / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Оптика и спектроскопия. – 2012. – Т. 113, № 2. – С. 202–207.
Водородные связи и противовирусная активность производных бензальдегида / Г.Б. Толсторожев [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2011. – Т. 79, № 4. – С. 658–663.
Спектры НПВО имплантированных ионами бора пленок диазохинонноволачного фоторезиста на кремнии / В.С. Просолович [и др.]. // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, 30 сент.–3 окт. 2019 г. – Минск : Изд. ц-р БГУ, 2019. – С. 169–171.
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. М. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 446 с.
Most read articles by the same author(s)
- Y. BUMAI, D. BOBUCHENKO, A. VASKOW, S. VABISHCHEVICH, S. LASTOVSKII, U. TROPHIMOV, V. ZVIRKO, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GETEROSTRUCTURE BASED LIGHT EMMITING DIDODES AFTER FAST ELECTRON IRRADIATION, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, STRENGTH PROPERTIES OF DIAZOQUINONE PHOTORESIST FP9120 FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON IMPLANTED WITH ANTIMONY IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)
- D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, S. VABISHCHEVICH, INFRARED FOURIER SPECTROSCOPY OF DIFFUSE REFLECTION OF THE AZ nLOF SERIES NEGATIVE PHOTORESISTS FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)