ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Исследовано влияние облучения быстрыми электронами (4 МэВ) на электрические и оптические свойства светоизлучающих диодов (СИД) на основе нитридов и фосфидов. Установлены закономерности изменения при облучении в вольтамперных характеристиках, спектрах электролюминесценции и тепловых свойствах СИД. Обнаружено изменение в спектрах электролюминесценции ультрафиолетовых и синих СИД, связанное возбуждением в люминесценции в поврежденных облучением полимерных линзах СИД в области ~2 эВ. Обнаружено восстановление в процессе работы оптической мощности облученных СИД на основе нитридов, подчиняющееся кинетике мономолекулярной реакции первого порядка.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Гриндин, Н.В. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов на светодиоды с белым и синим цветом свечения / Н.В. Гриндин., И.В. Рыжиков, В.С. Виноградов // Известия вузов. Электроника. – 2009. – Т. 76, № 1. – С. 27–32.
Hwang, Y. Effect of electron irradiation on AlGaN/GaN and InAlN/GaN heterojunctions / Ya-Shi Hwang [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2013. – Vol. 31. – P. 022206/1-1022206/6.
Градобоев, А.В. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами /
А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, И.М. Скакова //Известия высших учебных заведений. Физика. – 2014. – № 1. – С. 190–194.
Павленко, В.И. Воздействие высокоэнергетических пучков быстрых электронов на полимерные радиационно-защитные композиты / В.И. Павленко [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (95). – 2010. – № 1. – С. 129–134.
Шуберт, Ф. Светодиоды / пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича – М. : Физматлит. 2008. – 496 с.
Юнович, А.Э. Дивакансия азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия / А.Э. Юнович // ФТП. – 1998. – Т. 32, Вып. 10. – С. 1181–1183.
Мамакин, С.С. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами / А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин // ФТП. – 2003. – T. 37, Вып. 9. – С. 1131–1137.
Бумай Ю.А. Температурные изменения импульсных вольт-амперных характеристик GaN светодиодов / Ю.А. Бумай [и др.] // Сборник материалов 2-ой междунар. науч.-техн. конф. БНТУ, ПСФ «Приборостроение – 2009». Минск, 11-13 нояб. 2009 г. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 262–263.
Bumai, Y.A. Measurement and analysis of thermal parameters and efficiency of laser heterostructures and light-emitting diodes / Y.A. Bumai, A.S. Vaskou, V.K. Kononenko // Metrology and Measurement Systems. – 2010. – Vol. 17, № 1. – P. 39–46.
Zakgeim, A.L. Comparative Analysis of the Thermal Resistance Profiles of Power Light-Emitting Diodes Cree and Rebel Types / A.L. Zakgeim [et al.] // EuroSimE 2013 : 14th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems. – 2013. – № 1. – Р. 1/7–7/7.