ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В ПЛЕНКАХ CuXInXZn2-2XSe2

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 0
Загрузок PDF: 0
pdf (rus)
Опубликован: сен 27, 2013
Выпуск
№ 12 (2013)
Раздел
Физика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В. В. ХОРОШКО
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
И. Н. ЦЫРЕЛЬЧУК
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
В. Ф. ГРЕМЕНОК
ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Минск

Аннотация

Представлены результаты исследований изменения коэффициента поглощения тонких пленок CuxInxZn2-2xSex, полученных путем селенизации базовых слоев ZnSe/(Cu+In), в зависимости от концентрации атомов цинка. На основании представленных результатов получены значения ширины запрещенной зоны в тонких пленках CuxInxZn2–2xSex. Полученные данные свидетельствуют о том, что тонкие пленки CIZS являются перспективными материалами для тонкопленочных солнечных элементов, при этом стоимость пленок будет заметно ниже, так как в них происходит замена дорогостоящих материалов галлий и индий на менее дорогостоящий цинк.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ХОРОШКО, В. В., ЦЫРЕЛЬЧУК, И. Н., & ГРЕМЕНОК, В. Ф. (2013). ОПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В ПЛЕНКАХ CuXInXZn2-2XSe2. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (12), 91-94. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/9322
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

И. Н. ЦЫРЕЛЬЧУК, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск

канд. техн. наук

В. Ф. ГРЕМЕНОК, ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Минск

д-р физ.-мат. наук

Библиографические ссылки

Photovoltaic materials, history, status and outlook / A. Goetzberger [et al] // Material Science and Engineering. – 2003. – Vol. 40. – P. 1 – 46.

Free Solar Panel Price Survey//CivicSolarCorpotation [Electronic resource]. – 2013.

Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур на основе пленок Zn2–2xCuxInxSe2 / В.Ю. Рудь [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39. Вып 9. – С. 1070 – 1074.

Formation and Investigation of Photosensitive Structures Based on Laser-Deposited CuInSe2-2ZnSe Films / Rud Yu.V. [et al.] // Phys. Stat. Solidi (a). – 2001. – V. 118, № 3. – Р. 1077 – 1085.

Goodrich, A. CIGS Road Map / A. Goodrich, M. Woodhouse, R. Noufi // NREL technical report. – 2011. – P. 60.

Rau, U. Cu(In,Ga)Se2 Sollar Cells / U. Rau, H.W. Schock // Series of Photoconversion of Solar Energy. – 2001. – Vol. 1. – P. 277 – 345.

19.9 %-efficient ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cell with 81.2 % fill factor / I. Repins [et al.] // Progress in Photovoltaics. – 2008. – V. 16. – P. 235 – 239.