ФОРМИРОВАНИЕ ПОКРЫТИЙ ИОННО-ЛУЧЕВЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МИШЕНЕЙ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Рассмотрены особенности распыления диэлектрических мишеней пучками ускоренных ионов. Показано, что ускоряющее напряжение на аноде, ток разряда, мощность разряда и ток компенсатора – основные факторы, влияющие на скорость нанесения пленок. Увеличение разрядного тока приводит к снижению электрической прочности и увеличению диэлектрической проницаемости. Установлено, что ток компенсатора незначительно влияет на величину диэлектрической проницаемости, в то же время тангенс угла диэлектрических потерь существенно зависит от этого тока. Увеличение тока компенсатора и повышение энергии распыляющих ионов вызывают увеличение электрической прочности пленок. Полученные покрытия показали высокую прозрачность в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах, что свидетельствует о высокой плотности их структуры. Определены режимы ионного источника для получения пленок с наилучшими параметрами.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Hickmott, T.W. Stoichiometry and atomic defects in rf-sputtered SiO2 / T.W. Hickmott, J.E. Baglin // J. Appl. Phys. – 1979. – V. 50 (1). – P. 317 – 323.
Плазменная металлизация в вакууме / А.П. Достанко [и др.]. – Минск: Наука и техника, 1983. – 279 с.
Dugdale, R.А. Trans. Br. Ceram. Soc. / R.А. Dugdale // S.О. Ford. – 1999. – V. 65. – P. 165.
Varasi, M. Deposition of optical thin films by ion beam sputtering / M. Vasari, C. Misiano, L. Lasaponara // Thin Solid Films. – 1984. – V. 117. – P. 163 – 172.
Kane, S.M. Characteristics of ion-beam-sputtered thin films / S.M. Kane, K.Y. Ahn // J. Vac. Sci. Technol. – 1979. – V. 16(2). – P. 171 − 174.
Инфракрасный спектральный анализ SiOx-пленок, полученных ионно-лучевым распылением кварцевых мишеней / А.П. Достанко [и др.]. // Журнал прикладной спектроскопии. 1989. – Т. 50, № 3. – С. 436 – 439.