SELECTION OF CMOS CIRCUIT COMMUNTATION AT IONIZING RADIATION IMPACT
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Circuit and topological solutions for increasing of radiation resistance of integrated circuits at the expense of the record of changes of switching threshold of an elementary CMOS-valve under the influence of ionizing radiation are given. Qualitative and quantitative evaluation of the influence of ionizing radiation on the parameters of transistors depending on constructional-topological characteristics is given. Figures of a switching threshold depending on the level of impact of ionizing radiation are defined. Concrete recommendations on the choice of a switching threshold of CMOS circuits, working in the conditions of ionizing radiation, which allows to choose its optimal value at the stage of projecting, are proposed.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Метод прогнозирования радиационной стойкости КМОП интегральных схем / Ф.П. Коршунов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – М.: Изд-во «Научно-исследовательский институт приборов», 2009. – Т. 1. – С. 45 – 49.
Вологдин, Э.Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов: учеб. пособие / Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. – М.: Моск. гос. ин-т электроники и математики, 1999. – 101 с.
Никифоров, А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.
Прибыльский, А.В. // Радиационная стойкость электронных систем («Стойкость-2001»): материалы конф., Москва, 2011 г. – М., 2001. – Вып. 4 (57).
Доклады НАН Беларуси / Ф.П. Коршунов [и др.]. – 2004. – № 5, Т. 48.