ВЫБОР ПОРОГА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ КМОП СХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Приведены схемотехнические и топологические решения для повышения радиационной стойкости интегральных схем за счет учета изменения порога переключения элементарного КМОП-вентиля при воздействии ионизирующего излучения. Приведена качественная и количественная оценка влияния ионизирующего излучения на параметры транзисторов в зависимости от конструктивно-топологических характеристик. Определены численные значения порога переключения в зависимости от уровня воздействия ионизирующего излучения. Предложены конкретные рекомендации по выбору порога переключения КМОП схем, работающих в условиях ионизирующего излучения, что позволяет выбрать его оптимальное значение на стадии проектирования.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Метод прогнозирования радиационной стойкости КМОП интегральных схем / Ф.П. Коршунов [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – М.: Изд-во «Научно-исследовательский институт приборов», 2009. – Т. 1. – С. 45 – 49.
Вологдин, Э.Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов: учеб. пособие / Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. – М.: Моск. гос. ин-т электроники и математики, 1999. – 101 с.
Никифоров, А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.
Прибыльский, А.В. // Радиационная стойкость электронных систем («Стойкость-2001»): материалы конф., Москва, 2011 г. – М., 2001. – Вып. 4 (57).
Доклады НАН Беларуси / Ф.П. Коршунов [и др.]. – 2004. – № 5, Т. 48.