INVESTIGATION OF THE EFFECT OF ELECTRICAL MODES OF PLASMA FORMATION ON THE TOPICAL CHEMICAL ACTIVITY OF MICROWAVE PLASMA
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The results of investigation of the microwave plasmachemical etching rate of photoresist films from the surface of silicon plates in the depending on of the form and frequency of the electrical pulses of the output signals (anode voltage and anode current of the microwave magnetron) of the power source, which constructed on the basis of operating in the saturation regime the high voltage transformer, are presented. The influence of different amounts of located in the volume of the discharge chamber semiconductor plates on the rate of plasmachemical etching of photoresist films from the surface of silicon plates are investigated. The possibility of stable and sustainable operation of the microwave magnetron (types M-105 or M-112) with the plasma load when using simplified power sourses circuit with rectified unfiltered high voltage when the frequency of electrical pulses are 50 and 100 Hz is established. It was found the more effective (up to 1.3 times) microwave plasmachemical processing of semiconductor plates when the frequency of the electrical voltage pulses of the microwave magnetron power supply was 100 Hz in compare to 50 Hz for the same values of consumed electric power. It was established that the rate of the plasmachemical etching of photoresist films from the surface of semiconductor plates depends on the delay of the beginning of plasma formation in relation to the beginning of the magnetron generation of the microwave power.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Бордусов, С.В. Плазменные СВЧ-технологии в производстве изделий электронной техники / С.В. Бордусов; под ред. А.П. Достанко. – Минск: Бестпринт, 2002. – 452 с.
Масс-спектрометрический анализ процесса удаления фоторезиста в плазме кислорода / Б.Л. Толстых [и др.] // Электронная техника. Сер. 7. Технологии, организация производства и оборудование. – 1978. – Вып. 1(86). – С. 39 – 43.
Bordusau, S.V. Investigation the influence of magnetron power supply characteristics on chemical activity of microwave plasma / S.V. Bordusau, S.I. Madveika // Proc. of the XIXth Int. Symp., Brno, Czech Republic, September 5 – 9, 2011 / Brno University of Technology. – Brno, 2011. – P. 125 – 128.
Бордусов, С.В. Влияние электрических характеристик источника питания СВЧ-магнетрона на процесс плазменного удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин / С.В. Бордусов, С.И. Мадвейко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2011): материалы 21-й междунар. Крымской конф., 12 – 16 сентября 2011 г. – Севастополь: Вебер, 2011. – С. 986 – 987.
Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 264 с.
Райзер, Ю.П. Высокочастотный емкостный разряд: Физика. Техника эксперимента. Применение / Ю.П. Райзер, М.Н. Шнейдер, Н.А. Яценко. – М.: Наука, 1995. – 320 с.
Плазменные процессы в производстве электронной техники: в 3 т. / А.П. Достанко [и др.]; под общ. ред. А.П. Достанко. – Минск: ФУАинформ, 2001. – Т. 3. – 244 с.
Спектральный индикатор контроля процесса удаления фоторезиста в кислородной плазме / В.М. Долгополов [и др.] // Электронная техника. Сер. 7. Технол., организ. произв. и оборуд. – 1982. – Вып. 5(114). – С. 27 – 30.
Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии: моногр. / А.П. Достанко [и др.]; под общ. ред. А.П. Достанко и Н.К. Толочко. – Минск: Бестпринт, 2005. – 682 с.