ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ПЛАЗМООБРАЗОВАНИЯ НА ЛОКАЛЬНУЮ ХИМИЧЕСКУЮ АКТИВНОСТЬ ПЛАЗМЫ СВЧ-РАЗРЯДА
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Анатацыя
Исследуются скорости СВЧ-плазмохимического удаления фоторезистивных пленок с поверхности кремниевых пластин в зависимости от формы и частоты следования импульсов выходных сигналов анодного напряжения и тока источника вторичного электропитания СВЧ-магнетрона, построенного на базе высоковольтного трансформатора, работающего в режиме насыщения. Рассматривается влияние различного количества объектов обработки, расположенных в объеме разрядной камеры, на скорость плазмохимического удаления фоторезистивных пленок с поверхности кремниевых пластин. Установлена возможность стабильной и устойчивой работы низкодобротного СВЧ-магнетрона непрерывного действия (типа М-105, М-112) на плазменную нагрузку с упрощенными схемами питания выпрямленным нефильтрованным напряжением с частотой следования электрических импульсов 50 и 100 Гц. Определена более высокая (в 1,3 раза) эффективность применения для целей СВЧ-плазмохимической обработки полупроводниковых пластин 100-герцовой схемы питания СВЧ-магнетрона с умножением анодного напряжения по сравнению с 50-герцовой при одинаковых величинах потребляемой источниками питания электрической мощности. Установлен эффект влияния на скорость процесса плазменного удаления фоторезистивных пленок с поверхности полупроводниковых пластин задержки начала плазмообразования по отношению к началу генерации магнетроном СВЧ-мощности.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Гэты твор даступны па ліцэнзіі Creative Commons «Attribution» («Атрыбуцыя») 4.0 Сусветная.
Бібліяграфічныя спасылкі
Бордусов, С.В. Плазменные СВЧ-технологии в производстве изделий электронной техники / С.В. Бордусов; под ред. А.П. Достанко. – Минск: Бестпринт, 2002. – 452 с.
Масс-спектрометрический анализ процесса удаления фоторезиста в плазме кислорода / Б.Л. Толстых [и др.] // Электронная техника. Сер. 7. Технологии, организация производства и оборудование. – 1978. – Вып. 1(86). – С. 39 – 43.
Bordusau, S.V. Investigation the influence of magnetron power supply characteristics on chemical activity of microwave plasma / S.V. Bordusau, S.I. Madveika // Proc. of the XIXth Int. Symp., Brno, Czech Republic, September 5 – 9, 2011 / Brno University of Technology. – Brno, 2011. – P. 125 – 128.
Бордусов, С.В. Влияние электрических характеристик источника питания СВЧ-магнетрона на процесс плазменного удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин / С.В. Бордусов, С.И. Мадвейко // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо’2011): материалы 21-й междунар. Крымской конф., 12 – 16 сентября 2011 г. – Севастополь: Вебер, 2011. – С. 986 – 987.
Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 264 с.
Райзер, Ю.П. Высокочастотный емкостный разряд: Физика. Техника эксперимента. Применение / Ю.П. Райзер, М.Н. Шнейдер, Н.А. Яценко. – М.: Наука, 1995. – 320 с.
Плазменные процессы в производстве электронной техники: в 3 т. / А.П. Достанко [и др.]; под общ. ред. А.П. Достанко. – Минск: ФУАинформ, 2001. – Т. 3. – 244 с.
Спектральный индикатор контроля процесса удаления фоторезиста в кислородной плазме / В.М. Долгополов [и др.] // Электронная техника. Сер. 7. Технол., организ. произв. и оборуд. – 1982. – Вып. 5(114). – С. 27 – 30.
Интенсификация процессов формирования твердотельных структур концентрированными потоками энергии: моногр. / А.П. Достанко [и др.]; под общ. ред. А.П. Достанко и Н.К. Толочко. – Минск: Бестпринт, 2005. – 682 с.
Рэкамендаваныя артыкулы аўтара (аўтараў)
- В. В. ЕМЕЛЬЯНОВ, С. В. БОРДУСОВ, ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА В ПЛЕНКЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, Веснік Полацкага дзяржаўнага ўніверсітэта. Серыя В. Прамысловасць. Прыкладныя навукі: № 10 (2022)