МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Д. В. ШЕСТОВСКИЙ
Д. И. БРИНКЕВИЧ
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ
С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ

Аннотация

Методами атомно-силовой микроскопии, измерения удельного сопротивления и спектров отражения показано, что ионная имплантация P+ и B+ с энергией 60 кэВ при плотности ионного тока 10 мкA/cм2 приводит к изменению шероховатости пленок фоторезиста ФП9120 на кремниевой подложке с 0,24 нм для исходного образца до 0,14 нм и 0,16 нм для образцов, имплантированных ионами P+ и B+ соответственно при дозе имплантации 6·1014 cм-2. Это обусловлено релаксацией напряжений вследствие разогрева приповерхностного слоя резиста. Установлено, что при имплантация ионами B+ и P+ имеет место уменьшение показателя преломления фоторезиста, обусловленное радиационным сшиванием и газовыделением. Наблюдалось увеличение электропроводности приповерхностного слоя фоторезиста вследствие его карбонизации и образования мощной системы сопряженных кратных связей.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
(1)
ШЕСТОВСКИЙ, Д. В.; БРИНКЕВИЧ, Д. И.; ПРОСОЛОВИЧ, В. С.; ЯНКОВСКИЙ, Ю. Н.; ВАБИЩЕВИЧ, С. А.; ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки 2021, 41-46.
Выпуск
Раздел
Физика
Биографии авторов

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Экспериментальные методы химии высоких энергий / Под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 172.

Радиационная химия полимеров / В. Я. Кабанов [и др.] // Химия высоких энергий. – 2009. – Т. 43, № 1. – С. 5–21.

Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. –М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.

Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.

Прочностные свойства структур фоторезист – кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+ / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2016. – № 12. – C. 30–36.

Адгезия к монокристаллическому кремнию пленок диазохинон-новолачного фоторезиста, имплантированных ионами бора и фосфора / С. А. Вабищевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 1. – С. 54–59.

Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации / Д. И. Бринкевич [и др.] //Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 448–452.

Электронная проводимость в имплантированном ионами Р+ позитивном фоторезисте / А. Н. Олешкевич [и др.] //Микроэлектроника. – 2020. – Т. 49, № 1. – С. 58–65.

Трещиностойкость пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на пластинах монокристаллического кремния / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2021. – № 4. – C.64–69.

Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2020. – № 6. – С. 14–18.

ЭПР спектроскопия имплантированных ионами Р+ и B+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста / Д. И. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 2. – С. 126–134.

Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста за областью внедрения ионов В+ / С. Д. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2020. – T. 54, № 5. – С. 377–386.

Механизм адгезионного взаимодействия пленок диазохинонноволачного фоторезиста с монокристаллическим кремнием / С. Д. Бринкевич [и др.] // Журн. прикладной спектроскопии. – 2020. – T. 87, № 4. – С. 588–593

Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами бора и фосфора / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2019. – Т. 48, № 3. – С. 235–239.

Модификация приповерхностной области пленки полиимида имплантацией ионов бора / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 1. – С. 94–99.

Радиационная модификация поверхности полимеров / А. А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2015. – № 4. – С. 60–65.

Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированных ионами бора / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2018. – № 12. – C. 37–41.

Радиационно-стимулированная модификация спектров отражения за областью пробега ионов в пленках полиимида / Д. И. Бринкевич [и др.] // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2017. – № 8. – С. 25–30.

Аскадский, А. А. Компьютерное материаловедение полимеров / А. А. Аскадский, В. И. Кондрашенко. – М. : Научный мир, 1999. – Т. 1 : Атомно-молекулярный уровень. – 544 с