МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Д.В. ШЕСТОВСКИЙ
Д.И. БРИНКЕВИЧ
В.С. ПРОСОЛОВИЧ
Ю.Н. ЯНКОВСКИЙ
С.А. ВАБИЩЕВИЧ
Н.В. ВАБИЩЕВИЧ

Аннотация

Методами атомно-силовой микроскопии, измерения удельного сопротивления и спектров отражения показано, что ионная имплантация P+ и B+ с энергией 60 кэВ при плотности ионного тока 10 мкA/cм2 приводит к изменению шероховатости пленок фоторезиста ФП9120 на кремниевой подложке с 0,24 нм для исходного образца до 0,14 нм и 0,16 нм для образцов, имплантированных ионами P+ и B+ соответственно при дозе имплантации 6·1014 cм-2. Это обусловлено релаксацией напряжений вследствие разогрева приповерхностного слоя резиста. Установлено, что при имплантация ионами B+ и P+ имеет место уменьшение показателя преломления фоторезиста, обусловленное радиационным сшиванием и газовыделением. Наблюдалось увеличение электропроводности приповерхностного слоя фоторезиста вследствие его карбонизации и образования мощной системы сопряженных кратных связей.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
(1)
ШЕСТОВСКИЙ, Д.; БРИНКЕВИЧ, Д.; ПРОСОЛОВИЧ, В.; ЯНКОВСКИЙ, Ю.; ВАБИЩЕВИЧ, С.; ВАБИЩЕВИЧ, Н. МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА. Вестник ПГУ. Серия C 2021, c. 41-46.
Выпуск
Раздел
Физика
Биографии авторов

Д.И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В.С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Ю.Н. ЯНКОВСКИЙ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

С.А. ВАБИЩЕВИЧ

канд. физ.-мат. наук, доц.