ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Д. И. БРИНКЕВИЧ
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
В. В. КОЛОС
О. А. ЗУБОВА

Аннотация

Исследованы адгезионные и прочностные свойства пленок фоторезиста (ФР) для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Установлено, что они ведут себя как хрупкие материалы. Микротвердость ФР, измеренная при малых нагрузках, составляла ~0,3 ГПа, слабо снижаясь при увеличении толщины пленки. Параметры трещиностойкости (коэффициент вязкости разрушения K и эффективная энергия разру- шения γ) при малых нагрузках не зависят от толщины пленки. Скорость возрастания трещиностойкости при увеличении нагрузки зависела от толщины пленки и была большей для тонких пленок. Удельная энергия отслаивания G при нормальной нагрузке составляла ~1,2 Дж/м2 для толстых и ~0,7 Дж/м2 для тонких пленок. Более высокие значения G для толстых пленок обусловлены, вероятнее всего, компенсацией полей упругих напряжений, возникающих на границе раздела фоторезист/кремний. Проведено сравнение прочностных свойств фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4 и позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
(1)
ВАБИЩЕВИЧ, С. А.; ВАБИЩЕВИЧ, Н. В.; БРИНКЕВИЧ, Д. И.; ПРОСОЛОВИЧ, В. С.; КОЛОС, В. В.; ЗУБОВА, О. А. ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки 2022, 38, 49-55.
Раздел
Физико-математические науки (Физика)
Биографии авторов

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

В. В. КОЛОС, ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»

канд. техн. наук

Библиографические ссылки

Borisenko, V. E., & Tolochko, N. K. (Eds.). (2008). Nanomaterialy i nanotekhnologii. [Nanomaterials and Nanotechnologies] (109–110). Minsk: Belarusian State University. (In Russ.).

Brinkevich, D. I., Kharchenko, A. A., Prosolovich, V. S., Odzhaev, V. B., Brinkevich, S. D., & Yankovskii Yu. N. (2019). Modifikatsiya spektrov otrazheniya plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista pri implantatsii ionami bora i fosfora [Modification of reflectance spectra of films of diazoquinone-novolac photoresist upon implantation with boron and phosphorus ions]. Mikroelektronika [Microelectronics], 48(3), 235–239. (In Russ., abstr. in Engl.).

Brinkevich, D. I., Vabishchevich, N. V., & Vabishchevich, S. A. (2010). Fiziko-mekhanicheskie svoistva epitaksial'nykh sloev GaP [Physical and mechanical properties of GaP epitaxial layers]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 92–97. (In Russ., abstr. in Engl.).

Kolesnikov, Yu. V., & Morozov, E. M. (1989) Mekhanika kontaktnogo razrusheniya [Contact fracture mechanics]. Moscow: Nauka. (In Russ.).

Malzbendera, J., den Toonderb, J. M. J., Balkenendeb, A. R., & de Witha, G. (2002) Measuring mechanical properties of coatings: a methodology applied to nano-particle-filled sol-gel cjating on glass. Materials Science and Engineering: R, 36(2-3), 47–103. DOI: 10.1016/S0927-796X(01)00040-7.

Brinkevich, D. I., Vabishchevich, S. A., Petlitskii, A. N., & Prosolovich, V. S. (2006). Defekty upakovki, mikrotverdost' i mikrokhrupkost' v plastinakh kremniya, obuslovlennye termoobrabotkoi [Packing defects, microhardness and microbrittleness in silicon wafers caused by heat treatment]. Materialy, tekhnologii, instrumenty [Packing defects, microhardness and microbrittleness in silicon wafers caused by heat treatment], 11(1), 48–50. (In Russ.).

Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Prosolovich, V. S., Vabishchevich, N. V., & Brinkevich, D. I. (2020). Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(6), 1352–1357. DOI: 10.1134/S1027451020060476.

Vabishchevich, N. V., Vabishchevich, S. A., Brinkevich, D. I., Volobuev, V. S., Lukashevich, M. G., Odzhaev, V. B., & Prosolovich, V. S. (2011). Mikroindentirovanie struktur fotopolimer-kremnii [Microindentation of photopolymer-silicon structures]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 77–83. (In Russ., abstr. in Engl.).

Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Fiziko-mekhanicheskie svoistva obluchennykh plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista na kremnii [Physical and mechanical properties of irradiated films of diazoquinone-novolac photoresist on silicon]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta.Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 60–64. (In Russ., abstr. in Engl.).

Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Yankovskii, Yu. N., & Brinkevich, S. D. (2016). Prochnostnye svoistva struktur fotorezist–kremnii, γ-obluchennykh i implantirovannykh ionami В+ i Р+ [Strength properties of photoresist–silicon structures γ-irradiated and implanted with B+ and P+ ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 30–36. (In Russ., abstr. in Engl.).

Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Adhesion of Irradiated Diazoquinone–Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. High Energy Chemistry, 55(6), 495–501.

Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Adgeziya k monokristallicheskomu kremniyu plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista, implantirovannykh ionami bora i fosfora [Adhesion to single-crystal silicon of diazoquinone-novolac photoresist films implanted with boron and phosphorus ions]. Khimiya vysokikh energii [High Energy Chemistry], 54(1), 54–59. (In Russ., abstr. in Engl.).