ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ МАРГАНЦА
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Исследованы оптические и прочностные свойства пленок полиимида марки каптон, имплантированных ионами марганца энергией 40 кэВ и дозой 5·1016 – 1·1017 см–2 при плотности тока в ионном пучке 4 мкА/см2. Экспериментально установлено, что в процессе ионной имплантации происходит модификация тонкого приповерхностного слоя полиимида не только с имплантированной, но и с обратной стороны пленки. Радиационно-стимулированная модификация обратной поверхности пленки полиимида приводит к формированию поверхностного слоя толщиной до 5 мкм с повышенной микротвердостью. Это может быть обусловлено перестройкой метастабильных дефектов, сформировавшихся в процессе изготовления пленки, и одновременной релаксацией упругих напряжений в приповерхностном слое. В процессе имплантации наблюдается снижение интенсивности полос поглощения с максимумами при ~ 2870 и ~ 2750 нм, обусловленное испарением остаточной воды в условиях высокого вакуума и реакциями молекул остаточных растворителей, а также радиационно-индуцированными процессами на побочных продуктах синтеза полиимида.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой
канд. физ.-мат. наук, доц.
Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук
В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук, доц.
М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
д-р физ.-мат. наук, проф.
А. А. ХАРЧЕНКО, Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск
канд. физ.-мат. наук
Библиографические ссылки
Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Odzhaev, V. B., & Prosolovich, V. S. (2014). Ion implantation of positive photoresists. Russian Microelectronics, 43(3), 194–200. DOI: 10.1134/S106373971401003X.
Larson, L. A., Williams, J. M., & Current, M. I. (2011). Ion Implantation for Semiconductor Doping and Materials Modification. Reviews of Accelerator Science and Technology, (4), 11–40. DOI: 10.1142/S1793626811000616
Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Lukashevich, M. G., & Odzhaev, V. B. (2015). Radiationinduced modification of polymer surfaces. J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 9(2), 371–376. DOI: 10.1134/S1027451015020317.
Vabishhevich, C. A., Brinkevich, D. I., Volobuev, V. S., Nazhim, F. A., Lukashevich, M. G., Valeev, V. F., … Odzhaev V. B. (2010). Fiziko-mehanicheskie svojstva pripoverhnostnyh sloev polijetilentereftalata i poliimida, modificirovannyh implantaciej ionov nikelja [Physicomechanical Properties of Surface Layers of Polyethylenterephtalate and Polyimide, Implanted by Nickel Ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 74–82. (In Russ., abstr. in Engl.).
Brinkevich, D. I., Kharchenko, A. A., Brinkevich, S. D., Lukashevich, M. G., Odzhaev, V. B., Valeev, V .F., … Khaibullin, R. I. (2017). Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films. J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 11(4), 801–806. DOI: 10.1134/S1027451017040188.
Levshunova, V. L., Tetel'baum, D. I., & Pokhil, G. P. (2011). Oscillations of the Charge in Oxide at Silicon Surface as an Origin of the Process Leading to the Long-Range Effect. J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 5(2), 276–278. DOI: 10.1134/S1027451011030141.
Brinkevich, D. I., Vabishhevich, N. V., & Vabishhevich, S. A. (2010). Fiziko-mehanicheskie svojstva jepitaksial'nyh sloev fosfida gallija [Physicomechanical Properties of Epitaxial Layers Gallium Phosphide]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 92–97.
Vabishhevich, S. A., Vabishhevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Fiziko-mehanicheskie svojstva obluchennyh plenok diazohinon-novolachnogo fotorezista na kremnii [Physical and Mechanical Properties of Irradiated Films of Diazoquinone-Novolach Photoresist on Silicon]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 60–64.
Anisovich, A. G. (2017). Opticheskie jeffekty pri mikroskopii nemetallicheskih materialov [Optical Effects at Nonmetallic Materials Microscopy]. Lit'e i metallurgija [Foundry production and metallurgy], (1), 110–114. DOI: 10.21122/1683-6065-2017-1-110-114. (In Russ., abstr. in Engl.).
Harchenko, A. A., Vabishhevich, S. A., Brinkevich, D. I., Lukashevich, M. G., & Odzhaev, V. B. (2014). Plenki poliimida, implantirovannye ionami bora [Polyimide Films Implanted by B+ Ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 113–118. (In Russ., abstr. in Engl.).
Tetel'baum, D. I., Kuril'chik, E. V., Mendeleva, Ju. A., & Bystrova, O. I. (2009). Dal'nodejstvujushhee vlijanie sveta na mikrotverdost' fol'g aljuminija [Long-Range Action of Light on the Microhardness of Aluminium Foil]. Vestnik Nizhegorodskogo universiteta im. N. I. Lobachevskogo. Fizika tverdogo tela. [Vestnik of Lobachevsky State University of Nizhni Novgorod. Physics of the Solid State], (5), 42–47. (In Russ., abstr. in Engl.).
Brinkevich, D. I., Odzhaev, V. B., Prosolovich, V. S., & Yankovski, Yu. N. (2005). Radiation defects formation in silicon at high energy implantation. VACUUM. Surface engineering & vacuum technology, 78(2), 251–254.
Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Lukashevich, M. G., & Odzhaev, V. B. (2015). Modification of the subsurface layers of polyimide films upon boron-ion implantation. J. of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 9(1), 87–91. DOI: 10.1134/S1027451015010103.
Brinkevich, S. D., Grinyuk, E. V., Brinkevich, D. I., Sverdlov, R. L., Prosolovich, V. S., & Pyatlitski, A. N. (2020). Mechanism of the Adhesive Interaction of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films with Monocrystalline Silicon. J. of Applied Spectroscopy, 87(4), 647–651. DOI: 10.1007/s10812-020-01049-4.
Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Adhesion of diazoquinon-novolac photoresist films with implanted boron and phosphorus ions to single-crystal silicon. High energy chemistry, 54(1), 46–50. DOI: 10.1134/S0018143920010129.
Kharchenko, A. A., Fedotova, Yu. A., Zur, I. A., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., … Lastovskii, S. B. (2022). Processes Induced in DLC/Polyimide Structures by Irradiation with 60Co γ-Rays. High Energy Chemistry, 56(5), 354–362. DOI: 10.1134/s0018143922050058.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д, И. БРИНКЕВИЧ, НАКОПЛЕНИЕ РАДИОНУКЛИДОВ В СМЕННЫХ ДЕТАЛЯХ И ВОДНОЙ МИШЕНИ ЦИКЛОТРОНА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2021)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОПТИЧЕСКИЕ И ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ЖЕРТВЕННЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ПОЛИИМИДНЫХ ПЛЕНОК, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. Ю. ЗМИТРОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. Н. ШАБАНОВ, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)
- В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, Н. С. КОВАЛЬЧУК, Я. А. СОЛОВЬЕВ, Д. В. ЖИГУЛИН, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ЛОКАЛИЗАЦИЯ АТОМОВ АЗОТА В СТРУКТУРАХ Si–SiO2, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2020)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Г. А. ЭСПИНОЗА де лос МОНТЕРО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, РАДИАЦИОННО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПЛЕНКАХ ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО РЕЗИСТА НА КРЕМНИИ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Ag+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2020)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, В. О. КРОТ, А. Я. МАЛИБОРСКИЙ, ДОЛГОЖИВУЩИЕ β-ИЗЛУЧАЮЩИЕ РАДИОНУКЛИДЫ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ РАДИОФАРМПРЕПАРАТОВ НА ОСНОВЕ 18F, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)