МИКРОПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННОГО ПРИ НАЛОЖЕНИИ НА РАСПЛАВ СЛОЖНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 0
Загрузок PDF: 0
pdf (rus)
Опубликован: мар 28, 2012
Выпуск
№ 4 (2012)
Раздел
Физика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Д. И. БРИНКЕВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет
С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет

Аннотация

Методом микроиндентирования исследованы монокристаллы кремния, полученные по методу Чохральского при наложении на расплав комбинированных переменных и стационарных магнитных полей. Экспериментально показано, что микропрочностные характеристики монокристаллического кремния (микротвердость Н, микрохрупкость Z, коэффициент вязкости разрушения K1С и эффективная энергия разрушения γ) зависят от условий выращивания (наложения магнитных полей). Обнаружены существенные различия микропрочностных свойств образцов, вырезанных из нижних и верхних частей одного и того же слитка. Особенности микропрочностных свойств монокристаллического кремния обусловлены различиями в дефектно-примесном составе исследовавшихся пластин.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
БРИНКЕВИЧ, Д. И., ВАБИЩЕВИЧ, Н. В., & ВАБИЩЕВИЧ, С. А. (2012). МИКРОПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННОГО ПРИ НАЛОЖЕНИИ НА РАСПЛАВ СЛОЖНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (4), 77-82. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/9743
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Мильвидский, М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М.Г. Мильвидский. – М.: Наука, 1986. – 144 с.

Vizman, D. Comparison of the predictions from 3D numerical simulation with temperature distributions measured in Si Czochralski melts under the influence of different magnetic fields / D. Vizman, J. Friedrich, G. Muller // J. Crystal Growth. – 2001. – V. 230, № 1 – 2. – P. 73 – 80.

Kakimoto, K. Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverce-magnetic fields / K. Kakimoto // J. Crystal Growth. – 2001. – V. 230, № 1 – 2. – P. 100 – 107.

Подавление процессов генерации термодоноров в монокристаллическом кремнии, выращенном в магнитном поле / Э.П. Бочкарев [и др.] // Доклады АН СССР. – 1990. – Т. 313, № 5. – С. 1117 – 1120.

Tomzig, E. Application of dynamic and combined magnetic fields in the 300 mm silicon single-crystal growth / E. Tomzig [and others] // Mater. Sci. Semicond. Process. – 2002. – V. 5, № 4 – 5. – P. 347 – 351.

Kakimoto, K. Effects of rotating magnetic fields on temperature and oxygen distributions in silicon melt / K. Kakimoto // J. Crystal Growth. – 2002. – V. 237 – 239. – P. 1785 – 1790.

Ильин, М.А. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии / М.А. Ильин, В.Я. Коварский, А.Ф. Орлов // Заводская лаборатория. – 1884. – Т. 50, № 1. – С. 24 – 32.

Калоша, В.К. Математическая обработка результатов эксперимента / В.К. Калоша, С.И. Лобко, Т.С. Чикова. – Минск: Высш. шк., 1991. – 164 с.

Концевой, Ю.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. – М.: Радио и связь, 1982. – 240 с.

Колесников, Ю.В. Механика контактного разрушения / Ю.В. Колесников, Е.М. Морозов. – М.: Наука, 1989. – 220 с.

Вабищевич, С.А. О методике измерения прочностных характеристик полупроводниковых материалов / С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич // Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств: сб. материалов V междунар. науч.-техн. конф., 29 – 30 мая 2008 г.: в 3-х т. – Новополоцк: ПГУ, 2008. – Т. II. – C. 200 – 203.

Глазов, В.М. Микротвердость металлов и полупроводников / В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. – М.: Металлургия, 1969. – 248 с.

О распределении величины микротвердости по глубине образца / А.Б. Герасимов [и др.] // Физика твердого тела. – 1999. – Т. 41, № 7. – С. 1225 – 1227.

Вабищевич, С.А. Физико-механические свойства кремния, облученного электронами и нейтронами / С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С. Фундамен-тальные науки. – 2010. – № 3. – C. 109 – 114.

Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 4. – C. 309 – 312.

Vabishchevich, S.A. Microhardness of silicon sheets, subjected to gettering treatment / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich // J. Advansed Materials. – 2005. – V. 12, № 2. – P. 125 – 128.

Микромеханические свойства слоев кремния, имплантированных ионами бора и фосфора / C.А. Вабищевич [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 9 междунар. конф., Минск, 20 – 22 сент. 2011 г. – Минск: Издат. Центр БГУ, 2011. – С. 104 – 106.

Рекомендуемые статьи автора (авторов)

1 2 3 4 5 > >>