MICROHARDNESS OF Γ-IRRADIATED FILMS OF COPOLYMERS BASED ON METHYL METHACRYLATE
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
γ-irradiated films of copolymers of methyl methacrylate and methacrylamide on the single-crystal silicon was studied by the sclerometry and indentation methods. It was shown that γ-irradiation leads to an increase in the microhardness and partial cracking of copolymers films. The greatest effect was observed for the copolymer films with a predominance of methacrylamide. It was established that the copolymer indentation method gives
lower values of microhardness due to the tensile stresses in the surface layer. Interference pattern was observed around scratches and fingerprints. It is caused, most likely, a modification (change of the refractive index) of the surface layer of the polymer and/or the material displacement under the indenter.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
S. VABISHCHEVICH, Polotsk State University
канд. физ.-мат. наук, доц.
D. BRINKEVICH, Belarusian State University, Minsk
канд. физ.-мат. наук
S. BRINKEVICH, Belarusian State University, Minsk
канд. хим. наук, доц.
V. PROSOLOVICH, Belarusian State University, Minsk
канд. физ.-мат. наук, доц.
References
Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. – СПб. : Лань, 2003. – 367 с.
Щука, А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука. – М. : Физматкнига, 2007. – 464 с.
Гуль, В. Е. Структура и механические свойства полимеров / В. Е. Гуль, В. Н. Кулешов. – М. : Лабиринт, 1994. – 344 с.
Формирование диэлектрических микроволноводов в системе полимер/SiO2/Si с использованием ионного облучения / А. В. Леонтьев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. – 2005. – № 3. – С. 79–84.
Диэлектрическая релаксация в полимерах и сополимерах метакрилатов и метакриламидов с хромофорными группами в боковых цепях / Н. В. Афанасьева [и др.] // Физика твердого тела. – 2003. – № 5, Т. 45. – С. 936–942.
Химически усиленные резисты для литографии высокого разрешения / С. А. Булгакова [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – Т. 42, № 3. – С. 206–217.
Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии / Э. И. Рау [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – № 2, Т. 42. – С. 116–126.
Исследование влияния синхротронного излучения на термофизические параметры рентгенорезиста ПММА / А. Н. Генцелев [и др.] // Поверхность. – 2012. – № 1. – С. 14–20.
Формирование и исследование толстых резистивных слоев ПММА для LIGA-технологии / О. Н. Бобровникова [и др.] // Поверхность. – 2005. – № 9. – С. 38–43.
Тригуб, В. И. Модификация тонких пленок полиметилметакрилата и метилметакрилата-метилакриловой кислоты под воздействием ультразвука и электронов / В. И. Тригуб, А. В. Плотнов, С. В. Смирнов // Физика и химия обработки материалов. – 2003. – № 4. – С. 92–94.
Головин, Ю. И. Новые принципы, техника и результаты исследования динамических характеристик твердых тел в микрообъемах / Ю. И. Головин // Журнал технической физики. – 2000. – № 5, Т. 70. – С. 82–91.
Литвинов, М. Ю. Методология определения механических свойств полупроводниковых материалов с помощью метода непрерывного вдавливания индентора / М. Ю. Литвинов, Ю. М. Литвинов // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2004. – № 4 – С. 11–16.
Наконечники и бойки алмазные к приборам для измерения твердых металлов и сплавов. Технические условия : ГОСТ 9377-81. – М. : Изд-во стандартов, 1981.
Измерение микротвердости царапанием алмазными наконечниками : ГОСТ 21318-75. – Введ. 01.07.76 г. – М. : Изд-во стандартов, 1976. – 30 с.
Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников : ГОСТ 9450-76. – Введ. 01.01.77 г. – М. : Изд-во стандартов, 1993. – 35 с.
Бринкевич, Д. И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – № 8, Т. 48. – С. 878–883.
Сойфер, Я. М. Исследование локальных механических свойств монокристаллов хлористого калия методом атомно-силовой микроскопии / Я. М. Сойфер, А. Вердян // Физика твердого тела. – 2003. – № 9, Т. 45. – С. 1621–1625.
Булычев, С. И. Соотношение между восстановленной и невосстановленной твердостью при испытании наномикроиндентированием / С. И. Булычев // Журнал технической физики. – 1999. – № 7, Т. 69. – С. 42–48.
Шугуров, А. Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом наноиндентирования / А. Р. Шугуров, А. В. Панин, К. В. Осколков // Физика твердого тела. – 2008. – № 6, Т. 50. – С. 1007–1012.
Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боридонитридных пленок / Р. А. Андриевский [и др.] // Физика твердого тела. – 2000. – № 9, Т. 42. – С. 1624–1627.
Панин, А. В. Исследование механических свойств тонких пленок Ag на кремниевой подложке методом наноиндентирования / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, К. В. Оскомов // Физика твердого тела. – 2005. – № 11, Т. 47. – С. 1973–1977.
Взаимодействие индентора с пленками сополимеров на основе метилметакрилата / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундаментальные науки. – 2016. – № 4. – C. 90–97.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – № 1, Т. 7. – C. 77–84.
Изменение структуры полиметилметакрилата при облучении миллисекундными лазерными импульсами / С. В. Васильев [и др.] // Квантовая электроника. – 1998. – № 11, Т. 25. – С. 1023–1027.
Исследование структуры граничных слоев полиметилметакрилата методом нарушенного полного отражения / Г. М. Семенович [и др.] // Высокомолекулярные соединения. Сер. А. – 1978. – № 9, Т. 20. – С. 2000–2005.
Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем / В. Н. Быков. – М. : Атомиздат, 1967. – С. 467.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 169–178.
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, A. VASUKOV, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, ATOMIC-POWER MICROSCOPY OF FILMS OF POSITIVE DIAZOKHINONNOVOLACHNY PHOTORESIST IMPLANTED BY BORON IONS , Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2018)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. TARASIK, THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN PLATES OF SINGLE CRYSTALLINE SILICON WITH FILMS OF A DIAZOQUINON-NOVOLAC PHOTORESIST, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2021)
- A. VASUKOV, S. VABISHCHEVICH, N. SUKHOVILO, N. VABISHCHEVICH, RESEARCH OF SURFACE OF ASPHALTENES BY ATOMIC-POWER MICROSCOPY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, INDENTATION OF ELECTRON-IRRAUDED FILMS OF DIAZOQUINONE NOVOLAC PHOTORESISTS ON SILICONE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN PYROLITIC GRAPHITE FILMS USED IN THE COMMERCIAL CYCLOTRON BEAM OUTPUT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2019)
- S. RAHOUSKI, V. TANANA, N. VABISHCHEVICH, S. VABISHCHEVICH, IMAGE PROCESSING FOR DETERMINING STRENGTH PARAMETERS OF POLYMER FILMS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, CRACK RESISTANCE OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON PLATES, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. LUKASHEVICH, A. YUSHCHIK, A. KHARCHENKO, POLYIMIDE FILMS IMPLANTED BY MANGANESE IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2024)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF ELECTRON IRRADIATED FILMS OF NEGATIVE NOVOLAC PHOTORESISTS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2023)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. SHULYAKOVSKAYA, V. KOLOS, O. ZUBOVA, ELECTRON IRRADIATED PI2610 POLYIMIDE FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2024)