ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНОК НЕГАТИВНЫХ НОВОЛАЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Исследованы адгезионные и прочностные свойства облученных электронами пленок фоторезиста для взрывной литографии NFR 016D4, нанесенных на поверхность пластин монокристаллического кремния марки КДБ-10 методом центрифугирования. Экспериментально установлено, что облучение электронами приводит к короблению и частичному отслоению пленки фоторезиста NFR 016D4 от кремниевой подложки. Облученные пленки фоторезиста ведут себя как хрупкие материалы. Наблюдалось существенное снижение трещиностойкости и адгезии к кремниевой подложке облученных фоторезистивных пленок, обусловленное радиационно-индуцированными процессами у границы раздела фоторезист/кремний.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Библиографические ссылки
Cheung, K. M., Stemer, D. M., Zhao, C., Young, T. D., Belling, J. N., Andrews, A. M., & Weiss, P. S. (2020). Chemical Lift-Off Lithography of Metal and Semiconductor Surfaces. ACS Materials Lett, 2(1), 76–83. DOI: 10.1021/acsmaterialslett.9b00438.
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Kolos, V. V., & Zubova, O. A. (2022). Prochnostnye svoistva fotorezistov dlya vzryvnoi litografii [Strength Properties of Photoresists for Explosive Lithography]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 49–55. DOI: 10.52928/2070-1624-2022-38-4-49-55. (In Russ., abstr. in Engl.).
Brinkevich, D. I., Vabishchevich, N. V., & Vabishchevich, S. A. (2010). Fiziko-mekhanicheskie svoistva epitaksial'nykh sloev fosfida galliya [Physicomechanical Properties of Epitaxial Layers Gallium Phosphide]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 92–97. (In Russ., abstr. in Engl.).
Kolesnikov, Yu. V., & Morozov E. M. (1989). Mekhanika kontaktnogo razrusheniya [Contact fracture mechanics]. Moscow: Nauka. (In Russ.).
Malzbender, J., den Toonder, J. M. J., Balkenende, A. R., & de With, G. (2002). Measuring mechanical properties of coatings: a methodology applied to nano-particle-filled sol–gel coatings on glass. Materials Science and Engineering: R: Reports, 36(2–3), 47–103. DOI: 10.1016/S0927-796X(01)00040-7.
Brinkevich, D. I., Vabishchevich, S. A., Petlitskii, A. N. & Prosolovich, V. S. (2006). Defekty upakovki, mikrotverdost' i mikrokhrupkost' v plastinakh kremniya, obuslovlennye termoobrabotkoi [Packing defects, microhardness and microbrittleness in silicon wafers caused by heat treatment]. Materialy, tekhnologii, instrumenty [Materials, Technologies, Tools], 11(1), 48–50. (In Russ.).
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2016). Mikrotverdost' plenok sopolimerov na osnove metilmetakrilata, obluchennykh γ-kvantami [Microhardness of γ-Irradiated Filmsof Copolymers Based on Methyl Methacrylate]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 51–57. (In Russ., abstr. in Engl.).
Malik, B., & Panigrakhi, S. (2012). Vliyanie oblucheniya protonami s energiei poryadka neskol'kikh MeV na sechenie amorfizatsii polimera [Effect of amorphization cross-section of polymer due to MeV-proton irradiation]. Prikladnaya fizika [Applied Physics], (1), 20–25. (In Russ., abstr. in Engl.).
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Yankovskii, Yu. N., & Brinkevich, S. D. (2016). Prochnostnye svoistva struktur fotorezist-kremnii, γ-obluchennykh i implantirovannykh ionami V+ i R+ [Strength Properties of Photoresist-Silicon Structures, γ-Irradiated and Implanted by B+ and P+ Ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 30–36. (In Russ., abstr. in Engl.).
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Treshchinostoikost' plenok diazokhinon-novolachnogo rezista na plastinakh monokristallicheskogo kremniya [Crack Resistance of Diazoquinone-Novolach Photoresist Films on Monocrystalline Silicon Plates]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 64–69.
Vabishchevich, S., Brinkevich, S., Prosolovich, V., Vabishchevich, N., & Brinkevich, D. (2020). Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(6), 1352–1357. DOI: 10.1134/S1027451020060476.
Vabishchevich, N. V., Vabishchevich, S. A., Brinkevich, D. I., Volobuev, V. S., Lukashevich, M. G., Odzhaev, V. B., & Prosolovich, V. S. (2011). Mikroindentirovanie struktur fotopolimer – kremnii [Microindentation of Photopolymer-Silicon Structures]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 77–83. (In Russ., abstr. in Engl.).
Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Odzhaev, V. B., & Prosolovich, V. S. (2014). Ion Implantation of Positive Photoresists. Russian Microelectronics, 43(3), 194–200. DOI: 10.1134/S106373971401003X.
Vabishhevich, S. A., Brinkevich, S. D., Vabishhevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Adhesion of Irradiated Diazoquinone–Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. High Energy Chemistry, 55(6), 495–501. DOI: 10.1134/S0018143921060151.
Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Fiziko-mekhanicheskie svoistva obluchennykh plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista na kremnii [Physical and Mechanical Properties of Irradiated Films of Diazoquinone-Novolach Photoresist on Silicon]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 60–64. (In Russ., abstr. in Engl.).
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, А. В. ЮЩИК, А. А. ХАРЧЕНКО, ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ МАРГАНЦА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2024)
- C. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИНДЕНТОРА С ПЛЕНКАМИ СОПОЛИМЕРОВ НА ОСНОВЕ МЕТИЛМЕТАКРИЛАТА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2016)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Б. ШУЛЯКОВСКАЯ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОБЛУЧЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА PI2610 НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2024)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 2 (2023)
- В. И. ГОЛОВЧУК, А. А. ХАРЧЕНКО, Д. И. БРИНКЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, СТРУКТУРНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ МЕДИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2017)
- Д. И. БРИНКЕВИЧ, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. А. ХАРЧЕНКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МИКРОТВЕРДОСТЬ ПЛЕНОК ПОЛИИМИДА И ПОЛИЭТИЛЕНТЕРЕФТАЛАТА, ОБЛУЧЕННЫХ ГАММА-КВАНТАМИ 60Co, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2017)
- С. А. ДОБРОВОЛЬСКИЙ, А. В. САВКОВ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, ПРИМЕСНЫЕ РАДИОНУКЛИДЫ В ПРОИЗВОДСТВЕ РАДИОФАРМПРЕПАРАТОВ НА ОСНОВЕ 18F, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2017)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, А. А. ХАРЧЕНКО, М. Г. ЛУКАШЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, СПЕКТРЫ ОТРАЖЕНИЯ ГАММА-ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2017)
- А. В. ВАСЮКОВ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, В. А. КРИШТОПА, СКАНИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР И НЕФТЯНЫХ ДИСПЕСНЫХ СИСТЕМ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2017)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. Д. БРИНКЕВИЧ, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ФОТОРЕЗИСТ-КРЕМНИЙ, γ-ОБЛУЧЕННЫХ И ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ В+ И Р+, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2016)