ТРЕЩИНОСТОЙКОСТЬ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 100
Загрузок PDF: 78
pdf (rus)
Опубликован: июн 5, 2021
Ключевые слова:
diazoquinone-novolac resist, microindentation, crack resistance, fracture toughness coefficient, gamma-irradiation, implantation диазохинон-новолачный резист, микроиндентирование, трещиностойкость, коэффициент вязкости разрушения, гамма-облучение, имплантация
Выпуск
№ 4 (2021)
Раздел
Физика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

С. А. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет
Н. В. ВАБИЩЕВИЧ
Полоцкий государственный университет
Д. И. БРИНКЕВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск
В. С. ПРОСОЛОВИЧ
Белорусский государственный университет, Минск

Аннотация

Методом микроиндентирования исследованы коэффициент вязкости разрушения K1С и эффективная энергия разрушения γ пленок позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста марки ФП9120 на кремнии. Показано, что оба параметра трещиностойкости увеличиваются с ростом нагрузки и существенным образом возрастают при снижении толщины фоторезистивной пленки. У нанесенных на пластины кремния с ориентацией (100) пленок ФП9120 оба параметра трещиностойкости выше на 50–80%, чем у пленок на кремнии с ориентацией (111). Ионная имплантация приводит к увеличению трещиностойкости фоторезистивной пленки, причем при имплантации фосфора эффект проявляется сильнее, чем при внедрении В+. После гамма-облучения коэффициент вязкости разрушения K1С снижается примерно в 2–3 раза для всех исследовавшихся пленок. Отмеченные выше особенности микропрочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии обусловлены адгезионными процессами, протекающими у границы раздела фоторезист/кремний при облучении гамма-квантами 60Со и ионной имплантации.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
ВАБИЩЕВИЧ, С. А., ВАБИЩЕВИЧ, Н. В., БРИНКЕВИЧ, Д. И., & ПРОСОЛОВИЧ, В. С. (2021). ТРЕЩИНОСТОЙКОСТЬ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (4), 64-69. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/859
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет

канд. физ.-мат. наук, доц.

Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук

В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск

канд. физ.-мат. наук, доц.

Библиографические ссылки

Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – 632 с. – Ч. 2.

Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.

Radiation-Stimulated Transformation of the Reflectance Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Antimony Ions / A.A. Kharchenko [et al.] // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2020. – V. 14, №. 3. – Р. 558–561.

Adhesion of diazoquinon-novolac photoresist films with implanted boron and phosphorus ions to single-crystal silicon / S.A. Vabishchevich [et al.] // High energy chemistry. – 2020. – V. 54, № 1. – P. 46–50.

Radiation-Induced Processes in Diazoquinone–Novolac Resist Films under Irradiation with 60Co γ-Rays / S.D. Brinkevich [et al.] // High Energy Chemistry. – 2021. – V. 55, N. 1 – P. 65–74.

Микротвердость пленок полиимида и полиэтилентерефталата, облученных гамма-квантами 60Co / Д.И. Бринкевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2017. – № 12. – C. 30–34.

Колесников, Ю.В. Механика контактного разрушения / Ю.В. Колесников, Е.М. Морозов. – М. : Наука, 1989. – 220 с.

Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2020. – № 12. – C. 60–64.

Шугуров, А.Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом нано-индентирования / А.Р. Шугуров, А.В. Панин, К.В. Осколков // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50, № 6. – С. 1007–1012.

Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боридонитридных пленок / Р.А. Андриевский [и др.] // Физика твердого тела. – 2000. – Т. 42, № 9. – С. 1624–1627.

Панин, А.В. Исследование механических свойств тонких пленок Ag на кремниевой подложке методом наноиндентирования / А.В. Панин, А.Р. Шугуров, К.В. Осколков // Физика твердого тела. – 2005. – Т. 47, № 11. – С. 1973–1977.

Бринкевич, Д.И. Физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, С.А. Вабищевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2010. – № 9. – C. 92–97.

Бринкевич, Д.И. Микропрочностные свойства монокристаллического кремния, выращенного при наложении на расплав сложных электромагнитных полей / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, С.А.Вабищевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2012. – № 4. – C. 77–82.

Микропрочностные свойства приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремния / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2012. – № 12. – C. 79–88.

Mechanism of the Adhesive Interaction of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films with Monocrystalline Silicon / S.D. Brinkevich [et al.] // J. of Appl. Spectrosc. – 2020. – V. 87, № 4. – Р. 647–651.

Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров. / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 246 с.

Модификация спектров нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного резиста при облучении γ-квантами 60Со / С.Д. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2021. – T. 55, № 1. – С. 66–75.

Прочностные свойства структур фоторезист-кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+ / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2016. – № 12. – C. 30–36.

Рекомендуемые статьи автора (авторов)

<< < 1 2 3 4