OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GETEROSTRUCTURE BASED LIGHT EMMITING DIDODES AFTER FAST ELECTRON IRRADIATION
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
An influence of fast electron irradiation (4 MeV) on the electrical and optical properties of light emitting diodes (LEDs) on the basis of nitride and phosphide heterostructures have been studies. The features of volt-ampere characteristics, electroluminescence spectra and thermal characteristics of LEDs after irradiation have been established. The wide band at ~ 2 eV in electroluminescence spectra of ultraviolet and blue LED related to polymer lens damage has been found. The recovery of optical power during LED operating following to monomolecular first order reaction has been observed.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Гриндин, Н.В. Исследование воздействия быстрых нейтронов и электронов на светодиоды с белым и синим цветом свечения / Н.В. Гриндин., И.В. Рыжиков, В.С. Виноградов // Известия вузов. Электроника. – 2009. – Т. 76, № 1. – С. 27–32.
Hwang, Y. Effect of electron irradiation on AlGaN/GaN and InAlN/GaN heterojunctions / Ya-Shi Hwang [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2013. – Vol. 31. – P. 022206/1-1022206/6.
Градобоев, А.В. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами /
А.В. Градобоев, П.В. Рубанов, И.М. Скакова //Известия высших учебных заведений. Физика. – 2014. – № 1. – С. 190–194.
Павленко, В.И. Воздействие высокоэнергетических пучков быстрых электронов на полимерные радиационно-защитные композиты / В.И. Павленко [и др.] // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (95). – 2010. – № 1. – С. 129–134.
Шуберт, Ф. Светодиоды / пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича – М. : Физматлит. 2008. – 496 с.
Юнович, А.Э. Дивакансия азота возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия / А.Э. Юнович // ФТП. – 1998. – Т. 32, Вып. 10. – С. 1181–1183.
Мамакин, С.С. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами / А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин // ФТП. – 2003. – T. 37, Вып. 9. – С. 1131–1137.
Бумай Ю.А. Температурные изменения импульсных вольт-амперных характеристик GaN светодиодов / Ю.А. Бумай [и др.] // Сборник материалов 2-ой междунар. науч.-техн. конф. БНТУ, ПСФ «Приборостроение – 2009». Минск, 11-13 нояб. 2009 г. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 262–263.
Bumai, Y.A. Measurement and analysis of thermal parameters and efficiency of laser heterostructures and light-emitting diodes / Y.A. Bumai, A.S. Vaskou, V.K. Kononenko // Metrology and Measurement Systems. – 2010. – Vol. 17, № 1. – P. 39–46.
Zakgeim, A.L. Comparative Analysis of the Thermal Resistance Profiles of Power Light-Emitting Diodes Cree and Rebel Types / A.L. Zakgeim [et al.] // EuroSimE 2013 : 14th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems. – 2013. – № 1. – Р. 1/7–7/7.