ATOMIC-POWER MICROSCOPY OF FILMS OF POSITIVE DIAZOKHINONNOVOLACHNY PHOTORESIST IMPLANTED BY BORON IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Using atomic-force microscopy, we studied the modification of the surface of a positive photoresist of FP9120 implanted with B+ ions with energy of 100 keV in the dose range of 5∙1014–1∙1016 cm-2. It was found that, at low doses of implantation of ions, pyramidal structures with heights of up to 19 nm and dimensions at the base of up to 4–20 nm randomly located on the surface of photoresist films were found. Increasing the implantation dose over 1∙1015 cm-2 leads to smoothing of the pyramidal structures. Their height decreases to 2–5 nm, and the dimensions at the base increase to 50–100 nm. The formation of these structures is due to the relaxation of local elastic compressive stresses in the polymer film.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Микроиндентирование структур фотополимер – кремний / Н.В. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C. 77–83.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 1. – C. 77–84.
О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., Минск, 12-13 окт. 2016 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2016. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). – С. 22–24.
Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию / В.С. Просолович [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 12 междунар. конф., Минск, 23–25, сент. 2017. – Минск : Издат. центр БГУ, 2017. – С. 409–411.
Modification of the positive photoresist surface by ion implantation / D.I. Brinkevich [et al.] // Russian Microelectronics. – 2015. – V. 44, № 6. – P. 399–403.
Спектры отражения гамма-облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. Физика. – 2017. – № 4. – C. 35–39.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 169–178.
Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А.В. Ельцова. – Л. : Химия, 1985. – 296 с.
Радиационная модификация поверхности полимеров / А.А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2015. – № 4. – С. 60–65.
Аскадский, А.А. Компьютерное материаловедение полимеров / А.А. Аскадский, В.И. Кондрашенко. – М. : Научный мир, 1999. – Т. 1 : Атомно-молекулярный уровень. – 544 с.
Most read articles by the same author(s)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, ACCUMULATION OF RADIONUCLIDES IN REPLACEABLE PARTS AND WATER TARGET CYCLOTRON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESISTS FOR EXPLOSIVE LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- D. SHESTOVSKY, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, U. YANKOVSKY, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, OPTICAL AND STRENGTH PROPERTIES OF SACRIFICIAL LAYERS BASED ON POLYIMIDE FILMS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. ZMITROVICH, S. VABISHCHEVICH, D. SHABANOV, AUTOMATED PHYSICAL MEASUREMENT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST ON SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2020)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, G.A. ESPINOZA de los MONTEROS, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC RESIST ON SILICON DURING IMPLANTATION OF Ag+ IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- D. BRINKEVICH, С. Д. БРИНКЕВИЧ, S. VABISHCHEVICH, V. KROT, A. MALIBORSKI, LONG-LIVING β-RADIATING RADIONUCLIDES IN THE MANUFACTURE OF RADIOPHARMATIC DRUGS BASED ON 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, APPLICATION ANALYSIS OF THE GAMMA-BETA SPECTROMETER MKS-AT1315 TO CONTROL UNWANTED RADIONUCLIDES, FORMED DURING THE PRODUCTION OF RADIOPHARMACEUTICALS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)