ATOMIC-POWER MICROSCOPY OF FILMS OF POSITIVE DIAZOKHINONNOVOLACHNY PHOTORESIST IMPLANTED BY BORON IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Using atomic-force microscopy, we studied the modification of the surface of a positive photoresist of FP9120 implanted with B+ ions with energy of 100 keV in the dose range of 5∙1014–1∙1016 cm-2. It was found that, at low doses of implantation of ions, pyramidal structures with heights of up to 19 nm and dimensions at the base of up to 4–20 nm randomly located on the surface of photoresist films were found. Increasing the implantation dose over 1∙1015 cm-2 leads to smoothing of the pyramidal structures. Their height decreases to 2–5 nm, and the dimensions at the base increase to 50–100 nm. The formation of these structures is due to the relaxation of local elastic compressive stresses in the polymer film.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Микроиндентирование структур фотополимер – кремний / Н.В. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C. 77–83.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, № 1. – C. 77–84.
О применимости методов индентирования и склерометрии для измерения прочностных характеристик полимерных пленок на кремнии / Д.И. Бринкевич [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., Минск, 12-13 окт. 2016 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2016. – (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). – С. 22–24.
Влияние ионной имплантации на адгезию пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию / В.С. Просолович [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 12 междунар. конф., Минск, 23–25, сент. 2017. – Минск : Издат. центр БГУ, 2017. – С. 409–411.
Modification of the positive photoresist surface by ion implantation / D.I. Brinkevich [et al.] // Russian Microelectronics. – 2015. – V. 44, № 6. – P. 399–403.
Спектры отражения гамма-облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. Физика. – 2017. – № 4. – C. 35–39.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 169–178.
Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А.В. Ельцова. – Л. : Химия, 1985. – 296 с.
Радиационная модификация поверхности полимеров / А.А. Харченко [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2015. – № 4. – С. 60–65.
Аскадский, А.А. Компьютерное материаловедение полимеров / А.А. Аскадский, В.И. Кондрашенко. – М. : Научный мир, 1999. – Т. 1 : Атомно-молекулярный уровень. – 544 с.
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, FILMS OF POSITIVE DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FP9120 IMPLANTED WITH SILVER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2023)
- V. GOLOVCHUK, A. KHARCHENKO, D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, STRUCTURAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF CARBON-CONTAINING SILICATE GLASS IMPLANTED BY COPPER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, A. KHARCHENKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MICROHARDNESS OF POLYIMIDE AND POLYETHYLENE TEREPHTHALATE FILMS IRRADIATED WITH 60Co GAMMA QUANTA, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- S. DOBROVOLSKI, A. SAVKOV, D. BRINKEVICH, S. BRINKEVICH, N. VABISHCHEVICH, IMPURITY RADIONUCLIDES AT A RADIOPHARMACEUTICAL PRODUCTION BASED ON A 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, A. KHARCHENKO, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, S. BRINKEVICH, REFLECTION SPECTRA OF Γ-IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAK PHOTORESIST, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- A. VASUKOV, S. VABISHCHEVICH, V. KRISHTOPA, SCANNING SURFACES SOLID STRUCTURES AND OIL-WAIST VAR SYSTEMS BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, S. BRINKEVICH, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST-SILICON STRUCTURES, Γ-IRRADIATED AND IMPLANTED BY B+ AND P+ IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2016)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, S. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, MICROHARDNESS OF Γ-IRRADIATED FILMS OF COPOLYMERS BASED ON METHYL METHACRYLATE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2016)
- D. BRINKEVICH, S. VABISHCHEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, MODIFICATION OF THE SURFACE LAYERS OF SILICON SINGLE CRYSTALS IMPLANTED WITH B+ AND P+ IONS AT THE CREATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY CMOS TECHNOLOGY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2015)
- Y. BUMAI, D. BOBUCHENKO, A. VASKOW, S. VABISHCHEVICH, S. LASTOVSKII, U. TROPHIMOV, V. ZVIRKO, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GETEROSTRUCTURE BASED LIGHT EMMITING DIDODES AFTER FAST ELECTRON IRRADIATION, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)