STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST-SILICON STRUCTURES, Γ-IRRADIATED AND IMPLANTED BY B+ AND P+ IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Films of the FP-9120 positive photoresist thickness of 1,0 – 5,0 microns irradiated with γ-rays 60Co and implanted by B+ and P+ ions was investigated by the atomic force microscopy, sclerometry and indentation methods. It was shown that cone-shaped structures are formed on the surface of FP9120 positive photoresist in the process of ion implantation. These structures are uniformly distributed over the surface of the photoresist. They are due to the relaxation stresses formed during manufacture of the polymer film, and radiation-chemical processes in the surface layer of the photoresist. Radiation hardening of photoresist-silicon structures at ion implantation flow far beyond the range of P+ and B+ ions. These experimental results to explain the process of radiation cross-linking of polymer molecules far the range of ions, shrinkage of the polymer film and its carbonization in the range of ions.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Photoimageable nozzle members and methods relating thereto : pat. US8173031 / S. T.Weaver, R. Wells ; publ. date : 8.05.2012.
Бринкевич, Д. И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – № 8, Т. 48. – С. 878–883.
Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – № 6, Т. 44. – С. 448–452.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. –№ 1, Т. 7. – С. 77–84.
Вабищевич, С. А. Подавление радиационного упрочнения кремния, легированного германием / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич // Физика и химия обработки материалов. – 2006. – № 4. – С. 12–14.
Кинг, Р. В. Полимеры. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем / Р. В. Кинг, Н. Дж. Бродвей, Р. А. Майер. – М. : Атомиздат, 1967. – С. 49–114.
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 246 с.
Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных пленок / В. В. Сухоруков [и др.] // Поверхность. – 1991. – № 5. – С. 92–96.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – 824 с.
Рудченко, С. О. Влияние условий синтеза на структуру и свойства алмазоподобных углеродных пленок для ФЭП / С. О. Рудченко, В. Е. Пуха, В. В. Стариков // Вiснiк ХНУ. – 2012. – № 16. – С. 89–93.
Пикаев, А. К. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты / А. К. Пикаев. – М. : Наука, 1987. – 448 с.
Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А. В. Ельцова. – Л. : Химия, 1985. – 296 с.
Объемный разряд в диэлектрических материалах космических аппаратов при облучении электронами и протонами / Ф. И. Акишин [и др.] // Перспективные материалы. – 2009. – № 3. – С. 12–16.
Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии / Э. И. Рау [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – № 2, Т. 42. – С. 116–126.