STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST-SILICON STRUCTURES, Γ-IRRADIATED AND IMPLANTED BY B+ AND P+ IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Films of the FP-9120 positive photoresist thickness of 1,0 – 5,0 microns irradiated with γ-rays 60Co and implanted by B+ and P+ ions was investigated by the atomic force microscopy, sclerometry and indentation methods. It was shown that cone-shaped structures are formed on the surface of FP9120 positive photoresist in the process of ion implantation. These structures are uniformly distributed over the surface of the photoresist. They are due to the relaxation stresses formed during manufacture of the polymer film, and radiation-chemical processes in the surface layer of the photoresist. Radiation hardening of photoresist-silicon structures at ion implantation flow far beyond the range of P+ and B+ ions. These experimental results to explain the process of radiation cross-linking of polymer molecules far the range of ions, shrinkage of the polymer film and its carbonization in the range of ions.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Photoimageable nozzle members and methods relating thereto : pat. US8173031 / S. T.Weaver, R. Wells ; publ. date : 8.05.2012.
Бринкевич, Д. И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – № 8, Т. 48. – С. 878–883.
Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации / Д. И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – № 6, Т. 44. – С. 448–452.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. –№ 1, Т. 7. – С. 77–84.
Вабищевич, С. А. Подавление радиационного упрочнения кремния, легированного германием / С. А. Вабищевич, Н. В. Вабищевич, Д. И. Бринкевич // Физика и химия обработки материалов. – 2006. – № 4. – С. 12–14.
Кинг, Р. В. Полимеры. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем / Р. В. Кинг, Н. Дж. Бродвей, Р. А. Майер. – М. : Атомиздат, 1967. – С. 49–114.
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 246 с.
Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных пленок / В. В. Сухоруков [и др.] // Поверхность. – 1991. – № 5. – С. 92–96.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – 824 с.
Рудченко, С. О. Влияние условий синтеза на структуру и свойства алмазоподобных углеродных пленок для ФЭП / С. О. Рудченко, В. Е. Пуха, В. В. Стариков // Вiснiк ХНУ. – 2012. – № 16. – С. 89–93.
Пикаев, А. К. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты / А. К. Пикаев. – М. : Наука, 1987. – 448 с.
Светочувствительные полимерные материалы / под ред. А. В. Ельцова. – Л. : Химия, 1985. – 296 с.
Объемный разряд в диэлектрических материалах космических аппаратов при облучении электронами и протонами / Ф. И. Акишин [и др.] // Перспективные материалы. – 2009. – № 3. – С. 12–16.
Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии / Э. И. Рау [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – № 2, Т. 42. – С. 116–126.
Most read articles by the same author(s)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, INTERACTION OF THE INDENTOR WITH FILMS OF COPOLYMERS ON THE BASIS OF METHYLMETHACRYLATE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2016)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, FILMS OF POSITIVE DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FP9120 IMPLANTED WITH SILVER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2023)
- V. GOLOVCHUK, A. KHARCHENKO, D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, STRUCTURAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF CARBON-CONTAINING SILICATE GLASS IMPLANTED BY COPPER IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- D. BRINKEVICH, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, A. KHARCHENKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MICROHARDNESS OF POLYIMIDE AND POLYETHYLENE TEREPHTHALATE FILMS IRRADIATED WITH 60Co GAMMA QUANTA, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2017)
- S. DOBROVOLSKI, A. SAVKOV, D. BRINKEVICH, S. BRINKEVICH, N. VABISHCHEVICH, IMPURITY RADIONUCLIDES AT A RADIOPHARMACEUTICAL PRODUCTION BASED ON A 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, A. KHARCHENKO, M. LUKASHEVICH, V. PROSOLOVICH, S. BRINKEVICH, REFLECTION SPECTRA OF Γ-IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAK PHOTORESIST, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- A. VASUKOV, S. VABISHCHEVICH, V. KRISHTOPA, SCANNING SURFACES SOLID STRUCTURES AND OIL-WAIST VAR SYSTEMS BY ATOMIC FORCE MICROSCOPY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2017)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, S. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, MICROHARDNESS OF Γ-IRRADIATED FILMS OF COPOLYMERS BASED ON METHYL METHACRYLATE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2016)
- D. BRINKEVICH, S. VABISHCHEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI, MODIFICATION OF THE SURFACE LAYERS OF SILICON SINGLE CRYSTALS IMPLANTED WITH B+ AND P+ IONS AT THE CREATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES BY CMOS TECHNOLOGY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2015)
- Y. BUMAI, D. BOBUCHENKO, A. VASKOW, S. VABISHCHEVICH, S. LASTOVSKII, U. TROPHIMOV, V. ZVIRKO, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF GETEROSTRUCTURE BASED LIGHT EMMITING DIDODES AFTER FAST ELECTRON IRRADIATION, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2015)