INCREASING OF STABILITY OF DIODES SCHOTTKY STRUCTURES WITH GUARD RING TO ELECTROSTATIC DISHARGES
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The problem of increase of stability of diodes Schottky structures to electrostatic discharges is observed. Application in diodes structure of the ionic-alloyed guard ring provides stability to affecting electrostatic discharges pulses of negative polarity at level 14 kV.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Попов, С. Диоды Шоттки для преобразовательной техники / С. Попов // Электронные компоненты. – 2002. – № 3. – С. 35–38.
Зи, С.М. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. / С.М. Зи. – М. : Мир, 1984. – Кн. 1. – 455 с.
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов статического электричества / В.А. Солодуха [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 22–26.
Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний : ГОСТ Р51317.4.2–99 (МЭК 61000-4-2-95). – введ. 24.12.1999. – М. : Изд-во стандартов, 2000. – 24 с.
Dabral, S. Basic ESD and I/O design / S.Dabral, T.J. Maloney. – NY. : John Wiley&Sons, 1998. – 305 p.
Горлов, М.И. Электростатические заряды в электронике / М.И. Горлов, А.В. Емельянов, В.И. Плебанович. – Минск : Белорусская наука, 2006. – 295 с.
Строгонов, А. Воздействие электростатического разряда на интегральные микросхемы / А. Строгонов, М. Горлов // Компоненты и технологии. – 2008. – № 3. – С. 188–192.
Schottky diode with voltage limiting guard band : pat. US4110775, USA : IPC H01L29/48 / T. A. Festa ; publ. date: 29.08.1978.
Design of edge termination for GaN power Schottky diodes / J.R. Laroch [еt аl.] // J. of Electronic Materials. – 2005. – Vol. 34, № 4. – P. 370–374.
Distributed reverse surge guard : pat. US6717229, USA : IPC H01L29/66 / W. R. Buchanan., R. J. Hamerski., W. A. Smith ; publ. date: 06.04.2004.
Trench-gated Schottky diode with integral clamping diode : pat. US6078090, USA : IPC H01L29/66 / R.K. Williams, S.S. Malikarjunaswamy, J. Korec, W. B. Grabowski ; publ. date: 20.06.2000.
High voltage, high speed Schottky semiconductor device and method of fabrication : pat. US5027166, USA : IPC H01L29/872 / K. Ohtsuka, Y. Kutsuzawa, K. Ogata, H. Ichinosawa ; publ. date: 25.07.1991.
Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer : pat. US4899199, USA : IPC H01L23/52 / H.J. Gould ; publ. date: 06.02.1990.
Schottky diode and method of manufacture : pat. US7820473, USA : IPC H01L21/00 / L. Chen, B.E. Kruse, M. Duskin, J.D. Moran ; publ. date: 26.10.2010.
Schottky barrier diod, and manufacturing method thereof : pat. JP2009059765, JPN : IPC H01L29/47 / K. Onishi ; publ. date: 19.03.2009.
Gate controlled Schottky barrier diode : pat. US5258640, USA : IPC H01L29/56 / C-M. Hsieh, L.L. Hsu, P.T. Nguyen, L.F. Wagner ; publ. date: 02.11.1993.
Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : пат. 10529 Респ. Беларусь : МПК H 01L 21/02 (2006) / А.С. Турцевич [и др.] ; дата публ.: 30.04.08 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуальнай уласнасцi. – 2008. – № 2 – С. 110.
Wunch, D.C. Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors Due to Pulse Voltages / D.C. Wunch, R.R. Bell // IEEE Trans. Nuc. Science. – 1968. – Vol. 15. – № 4. – P. 244–259.
Солодуха, В.А. Прогнозирование максимально допустимых потенциалов разрядов статического электричества и их влияние на диоды Шоттки / В.А. Солодуха, В.Л. Ланин, Я.А. Соловьев // Доклады БГУИР. – 2015. – № 4 (90). – С. 80–86.
Most read articles by the same author(s)
- A. VIDRITSKY, V. LANIN, TECHNOLOGY OF VACUUM TIGHT SEALING OF MICROBOLOMETER PACKAGE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2024)