ПОВЫШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ СТРУКТУР ДИОДОВ ШОТТКИ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ К РАЗРЯДАМ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

Просмотров аннотации: 36
Загрузок PDF: 16
pdf (rus)
Опубликован: сен 30, 2015
Выпуск
№ 12 (2015)
Раздел
Физика

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В. А. СОЛОДУХА
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск
В. Л. ЛАНИН
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск
Я. А. СОЛОВЬЁВ
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск

Аннотация

Рассмотрена задача повышения устойчивости структур диодов Шоттки к разрядам статического электричества. Показано, что использование в диодной структуре диффузионно-легированного охранного кольца обеспечивает устойчивость к разрядам статического электричества с потенциалом до 14 кВ.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
СОЛОДУХА, В. А., ЛАНИН, В. Л., & СОЛОВЬЁВ, Я. А. (2015). ПОВЫШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ СТРУКТУР ДИОДОВ ШОТТКИ С ОХРАННЫМ КОЛЬЦОМ К РАЗРЯДАМ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА. Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки, (12), 72-81. извлечено от https://journals.psu.by/fundamental/article/view/5629
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Биографии авторов

В. Л. ЛАНИН, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск

д-р техн. наук, проф.

Я. А. СОЛОВЬЁВ, ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», Минск

канд. техн. наук, доц.

Библиографические ссылки

Попов, С. Диоды Шоттки для преобразовательной техники / С. Попов // Электронные компоненты. – 2002. – № 3. – С. 35–38.

Зи, С.М. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. / С.М. Зи. – М. : Мир, 1984. – Кн. 1. – 455 с.

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов статического электричества / В.А. Солодуха [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 22–26.

Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний : ГОСТ Р51317.4.2–99 (МЭК 61000-4-2-95). – введ. 24.12.1999. – М. : Изд-во стандартов, 2000. – 24 с.

Dabral, S. Basic ESD and I/O design / S.Dabral, T.J. Maloney. – NY. : John Wiley&Sons, 1998. – 305 p.

Горлов, М.И. Электростатические заряды в электронике / М.И. Горлов, А.В. Емельянов, В.И. Плебанович. – Минск : Белорусская наука, 2006. – 295 с.

Строгонов, А. Воздействие электростатического разряда на интегральные микросхемы / А. Строгонов, М. Горлов // Компоненты и технологии. – 2008. – № 3. – С. 188–192.

Schottky diode with voltage limiting guard band : pat. US4110775, USA : IPC H01L29/48 / T. A. Festa ; publ. date: 29.08.1978.

Design of edge termination for GaN power Schottky diodes / J.R. Laroch [еt аl.] // J. of Electronic Materials. – 2005. – Vol. 34, № 4. – P. 370–374.

Distributed reverse surge guard : pat. US6717229, USA : IPC H01L29/66 / W. R. Buchanan., R. J. Hamerski., W. A. Smith ; publ. date: 06.04.2004.

Trench-gated Schottky diode with integral clamping diode : pat. US6078090, USA : IPC H01L29/66 / R.K. Williams, S.S. Malikarjunaswamy, J. Korec, W. B. Grabowski ; publ. date: 20.06.2000.

High voltage, high speed Schottky semiconductor device and method of fabrication : pat. US5027166, USA : IPC H01L29/872 / K. Ohtsuka, Y. Kutsuzawa, K. Ogata, H. Ichinosawa ; publ. date: 25.07.1991.

Schottky diode with titanium or like layer contacting the dielectric layer : pat. US4899199, USA : IPC H01L23/52 / H.J. Gould ; publ. date: 06.02.1990.

Schottky diode and method of manufacture : pat. US7820473, USA : IPC H01L21/00 / L. Chen, B.E. Kruse, M. Duskin, J.D. Moran ; publ. date: 26.10.2010.

Schottky barrier diod, and manufacturing method thereof : pat. JP2009059765, JPN : IPC H01L29/47 / K. Onishi ; publ. date: 19.03.2009.

Gate controlled Schottky barrier diode : pat. US5258640, USA : IPC H01L29/56 / C-M. Hsieh, L.L. Hsu, P.T. Nguyen, L.F. Wagner ; publ. date: 02.11.1993.

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : пат. 10529 Респ. Беларусь : МПК H 01L 21/02 (2006) / А.С. Турцевич [и др.] ; дата публ.: 30.04.08 // Афiцыйны бюл. / Нац. цэнтр iнтэлектуальнай уласнасцi. – 2008. – № 2 – С. 110.

Wunch, D.C. Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors Due to Pulse Voltages / D.C. Wunch, R.R. Bell // IEEE Trans. Nuc. Science. – 1968. – Vol. 15. – № 4. – P. 244–259.

Солодуха, В.А. Прогнозирование максимально допустимых потенциалов разрядов статического электричества и их влияние на диоды Шоттки / В.А. Солодуха, В.Л. Ланин, Я.А. Соловьев // Доклады БГУИР. – 2015. – № 4 (90). – С. 80–86.