CRACK RESISTANCE OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON PLATES
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The fracture toughness coefficient K1C and the effective fracture energy γ of films of FP9120 positive diazoquinone- novolach photoresist on silicon have been investigated by the microindentation method. It is shown that both parameters of crack resistance increase with increasing load and significantly increase with decreasing thickness of the photoresist film. For FP9120 films deposited on silicon wafers with orientation (100), both parameters of crack resistance are higher by 50–80% than films on silicon with (111) orientation. Ion implantation leads to an increase in the crack resistance of the photoresist film, and the effect is more pronounced upon the implantation of phosphorus than upon the introduction of B+. After gamma irradiation, the fracture toughness coefficient K1C decreases by ~ 2–3 times for all studied films. The aforementioned features of the microstrength properties of photoresist films on silicon are due to adhesion processes occurring at the photoresist/silicon interface during irradiation with 60Co gamma quanta and ion implantation.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2-х ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – 632 с. – Ч. 2.
Ионная имплантация позитивных фоторезистов / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 3. – C. 193–199.
Radiation-Stimulated Transformation of the Reflectance Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films Implanted with Antimony Ions / A.A. Kharchenko [et al.] // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2020. – V. 14, №. 3. – Р. 558–561.
Adhesion of diazoquinon-novolac photoresist films with implanted boron and phosphorus ions to single-crystal silicon / S.A. Vabishchevich [et al.] // High energy chemistry. – 2020. – V. 54, № 1. – P. 46–50.
Radiation-Induced Processes in Diazoquinone–Novolac Resist Films under Irradiation with 60Co γ-Rays / S.D. Brinkevich [et al.] // High Energy Chemistry. – 2021. – V. 55, N. 1 – P. 65–74.
Микротвердость пленок полиимида и полиэтилентерефталата, облученных гамма-квантами 60Co / Д.И. Бринкевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2017. – № 12. – C. 30–34.
Колесников, Ю.В. Механика контактного разрушения / Ю.В. Колесников, Е.М. Морозов. – М. : Наука, 1989. – 220 с.
Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2020. – № 12. – C. 60–64.
Шугуров, А.Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом нано-индентирования / А.Р. Шугуров, А.В. Панин, К.В. Осколков // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50, № 6. – С. 1007–1012.
Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боридонитридных пленок / Р.А. Андриевский [и др.] // Физика твердого тела. – 2000. – Т. 42, № 9. – С. 1624–1627.
Панин, А.В. Исследование механических свойств тонких пленок Ag на кремниевой подложке методом наноиндентирования / А.В. Панин, А.Р. Шугуров, К.В. Осколков // Физика твердого тела. – 2005. – Т. 47, № 11. – С. 1973–1977.
Бринкевич, Д.И. Физико-механические свойства эпитаксиальных слоев GaP / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, С.А. Вабищевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2010. – № 9. – C. 92–97.
Бринкевич, Д.И. Микропрочностные свойства монокристаллического кремния, выращенного при наложении на расплав сложных электромагнитных полей / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, С.А.Вабищевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2012. – № 4. – C. 77–82.
Микропрочностные свойства приповерхностных слоев имплантированных монокристаллов кремния / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2012. – № 12. – C. 79–88.
Mechanism of the Adhesive Interaction of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films with Monocrystalline Silicon / S.D. Brinkevich [et al.] // J. of Appl. Spectrosc. – 2020. – V. 87, № 4. – Р. 647–651.
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров. / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М. : Мир, 1988. – 246 с.
Модификация спектров нарушенного полного внутреннего отражения пленок диазохинон-новолачного резиста при облучении γ-квантами 60Со / С.Д. Бринкевич [и др.] // Химия высоких энергий. – 2021. – T. 55, № 1. – С. 66–75.
Прочностные свойства структур фоторезист-кремний, γ-облученных и имплантированных ионами В+ и Р+ / С.А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. – 2016. – № 12. – C. 30–36.
Most read articles by the same author(s)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, ACCUMULATION OF RADIONUCLIDES IN REPLACEABLE PARTS AND WATER TARGET CYCLOTRON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESISTS FOR EXPLOSIVE LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- D. SHESTOVSKY, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, U. YANKOVSKY, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, OPTICAL AND STRENGTH PROPERTIES OF SACRIFICIAL LAYERS BASED ON POLYIMIDE FILMS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. ZMITROVICH, S. VABISHCHEVICH, D. SHABANOV, AUTOMATED PHYSICAL MEASUREMENT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST ON SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2020)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, G.A. ESPINOZA de los MONTEROS, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC RESIST ON SILICON DURING IMPLANTATION OF Ag+ IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- D. BRINKEVICH, С. Д. БРИНКЕВИЧ, S. VABISHCHEVICH, V. KROT, A. MALIBORSKI, LONG-LIVING β-RADIATING RADIONUCLIDES IN THE MANUFACTURE OF RADIOPHARMATIC DRUGS BASED ON 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, APPLICATION ANALYSIS OF THE GAMMA-BETA SPECTROMETER MKS-AT1315 TO CONTROL UNWANTED RADIONUCLIDES, FORMED DURING THE PRODUCTION OF RADIOPHARMACEUTICALS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)