MICROSTRENGTH PROPERTIES OF SILICON SINGLE CRYSTAL RECEIVED FROM THE MELT UNDER THE INFLUENCE OF COMBINED MAGNETIC FIELDS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Silicon single crystals received by Czochralski method from the melt under the influence of combined dynamic and steady magnetic fields were investigated by microindtntion method. It is experimentally shown, that microstrengten characteristics of silicon single crystal (microhardness Н, microfragility Z, factor of viscosity of destruction К1С and effective energy of destruction γ) depend on conditions of receipt (parameters of magnetic fields). Essential distinctions of microstrengten properties of the samples which have been cut out from the bottom and top parts of the same ingot are found out. The specified features of microstrengten properties are caused by distinctions in defect-impurity structure of investigated wafers.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Мильвидский, М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М.Г. Мильвидский. – М.: Наука, 1986. – 144 с.
Vizman, D. Comparison of the predictions from 3D numerical simulation with temperature distributions measured in Si Czochralski melts under the influence of different magnetic fields / D. Vizman, J. Friedrich, G. Muller // J. Crystal Growth. – 2001. – V. 230, № 1 – 2. – P. 73 – 80.
Kakimoto, K. Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverce-magnetic fields / K. Kakimoto // J. Crystal Growth. – 2001. – V. 230, № 1 – 2. – P. 100 – 107.
Подавление процессов генерации термодоноров в монокристаллическом кремнии, выращенном в магнитном поле / Э.П. Бочкарев [и др.] // Доклады АН СССР. – 1990. – Т. 313, № 5. – С. 1117 – 1120.
Tomzig, E. Application of dynamic and combined magnetic fields in the 300 mm silicon single-crystal growth / E. Tomzig [and others] // Mater. Sci. Semicond. Process. – 2002. – V. 5, № 4 – 5. – P. 347 – 351.
Kakimoto, K. Effects of rotating magnetic fields on temperature and oxygen distributions in silicon melt / K. Kakimoto // J. Crystal Growth. – 2002. – V. 237 – 239. – P. 1785 – 1790.
Ильин, М.А. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии / М.А. Ильин, В.Я. Коварский, А.Ф. Орлов // Заводская лаборатория. – 1884. – Т. 50, № 1. – С. 24 – 32.
Калоша, В.К. Математическая обработка результатов эксперимента / В.К. Калоша, С.И. Лобко, Т.С. Чикова. – Минск: Высш. шк., 1991. – 164 с.
Концевой, Ю.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур / Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. – М.: Радио и связь, 1982. – 240 с.
Колесников, Ю.В. Механика контактного разрушения / Ю.В. Колесников, Е.М. Морозов. – М.: Наука, 1989. – 220 с.
Вабищевич, С.А. О методике измерения прочностных характеристик полупроводниковых материалов / С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич // Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств: сб. материалов V междунар. науч.-техн. конф., 29 – 30 мая 2008 г.: в 3-х т. – Новополоцк: ПГУ, 2008. – Т. II. – C. 200 – 203.
Глазов, В.М. Микротвердость металлов и полупроводников / В.М. Глазов, В.Н. Вигдорович. – М.: Металлургия, 1969. – 248 с.
О распределении величины микротвердости по глубине образца / А.Б. Герасимов [и др.] // Физика твердого тела. – 1999. – Т. 41, № 7. – С. 1225 – 1227.
Вабищевич, С.А. Физико-механические свойства кремния, облученного электронами и нейтронами / С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С. Фундамен-тальные науки. – 2010. – № 3. – C. 109 – 114.
Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле / Д.И. Бринкевич [и др.] // Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 4. – C. 309 – 312.
Vabishchevich, S.A. Microhardness of silicon sheets, subjected to gettering treatment / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, D.I. Brinkevich // J. Advansed Materials. – 2005. – V. 12, № 2. – P. 125 – 128.
Микромеханические свойства слоев кремния, имплантированных ионами бора и фосфора / C.А. Вабищевич [и др.] // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 9 междунар. конф., Минск, 20 – 22 сент. 2011 г. – Минск: Издат. Центр БГУ, 2011. – С. 104 – 106.
Most read articles by the same author(s)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, ACCUMULATION OF RADIONUCLIDES IN REPLACEABLE PARTS AND WATER TARGET CYCLOTRON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESISTS FOR EXPLOSIVE LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- D. SHESTOVSKY, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, U. YANKOVSKY, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, INDENTATION OF ELECTRON-IRRAUDED FILMS OF DIAZOQUINONE NOVOLAC PHOTORESISTS ON SILICONE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. SHULYAKOVSKAYA, V. KOLOS, O. ZUBOVA, ELECTRON IRRADIATED PI2610 POLYIMIDE FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2024)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, OPTICAL AND STRENGTH PROPERTIES OF SACRIFICIAL LAYERS BASED ON POLYIMIDE FILMS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- D. BRINKEVICH, С. Д. БРИНКЕВИЧ, S. VABISHCHEVICH, V. KROT, A. MALIBORSKI, LONG-LIVING β-RADIATING RADIONUCLIDES IN THE MANUFACTURE OF RADIOPHARMATIC DRUGS BASED ON 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- S. ABRAMOV, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, O. ZUBOVA, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, ZOIR T. KENZHAEV, S. LASTOVSKII, FILMS OF THE NEGATIVE PHOTORESIST AZ nLOF 5510, IRRADIATED BY ELECTRONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2025)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, STRENGTH PROPERTIES OF DIAZOQUINONE PHOTORESIST FP9120 FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON IMPLANTED WITH ANTIMONY IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 2 (2024)