ПЛЕНКИ НЕГАТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА AZ nLOF 5510, ОБЛУЧЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНАМИ
##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Методом ИК-Фурье-спектроскопии с использованием приставки для диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Облучение электронами с энергией 3,5 МэВ дозой до Ф = 7·1016·см–2 проводилось на линейном ускорителе электронов ЭЛУ-4. Показано, что углерод-водородные связи основного компонента фоторезиста – фенолформальдегидной смолы – стабильны вплоть до доз ~ (1–3)·1016 см–2. Связанные с растворителем полосы исчезают из спектра при дозах облучения < 1·1015 см–2. При облучении в интервале волновых чисел 1620–1660 см–1 возникают полосы, обусловленные формальдегидом, образующимся в результате реакции β-фрагментации кислород-центрованного радикала. Полосы, связанные с колебаниями ароматического кольца, достаточно стабильны. Их интенсивность заметно снижается только при дозе Ф = 7∙1016 см-2. В области валентных колебаний кратных связей С=О при облучении наблюдалась сложная перестройка спектра, обусловленная несколькими процессами, протекающими при взаимодействии компонентов фоторезиста во время облучения электронами. В частности, могут наблюдаться трансформация ближайших заместителей связей С=О, сшивка молекул, увеличение количества сопряженных кратных связей как результат формирования хиноидных структур.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Д. И. БРИНКЕВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук
В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Белорусский государственный университет, Минск
канд. физ.-мат. наук, доц.
С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой
канд. физ.-мат. наук, доц.
Зоир Тохир ўғли КЕНЖАЕВ, Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова
д-р философии (PhD) по физ.-мат. наукам, доц.
С. Б. ЛАСТОВСКИЙ, ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», Минск
канд. физ.-мат. наук
Библиографические ссылки
Pretsch E., Bühlmann, P., & Affolter C. (2000). Structure Determination of Organic Compounds. Tables of Spectral Data. Berlin – Heidelberg: Springer – Verlag.
Brinkevich, S. D., Grinyuk, E. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich V. S. (2020). Modification of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films beyond the Region of Implantation of B+ Ions. High energy chemistry, 54(5), 342–351. DOI: 10.31857/S0023119320050046.
Brinkevich, D. I., Kharchenko, A. A., Prosolovich, V. S., Odzhaev, V. B., Brinkevich, S. D., & Yankovski, Yu. N. (2019). Reflection spectra modification of diazoquinone-novolak photoresist implanted with B and P ions. Russian Microelectronics, 48(3), 197–201. DOI: 10.1134/S1063739719020021.
Brinkevich, D. I., Grinyuk, E. V., Prosolovich, V. S., Brinkevich, S. D., Kolos, V. V., & Zubova, O. A. (2025). Otrazhatel'no-absorbtsionnaya IK Fur'e-spektroskopiya fotorezistivnykh plenok na kremnii [Reflective Absorption IR Fourier-Spectroscopy of Photoresistive Films on Silicon]. Pribory i metody izmerenii [Devices and methods of measurements], 16(1), 242–250. (In Russ., abstr. in Engl.).
Odzhaev, V. B., Pyatlitski, A. N., Prosolovich, V. S., Kovalchuk, N. S., Soloviev, Ya. A., Zhygulin, D. V., … Brinkevich, D. I. (2022). Attenuated Total Reflection Spectra of Nitrided SiO2/Si Structures. Journal of Applied Spectroscopy, 89(4), 665–670. DOI: 10.1007/s10812-022-01408-3.
Poljansek, I., Sebenik, U., Krajnc, M. (2006). Characterization of phenol–urea–formaldehyde resin by inline FTIR spectroscopy. Journal of Applied Polymer Science, 99(5), 2016–2028. DOI: 10.1002/app.22161.
Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Petlitsky, A. N., & Prosolovich, V. S. (2021). Transformation of the Spectra of a Attenuated Total Reflection when Drying a Diazoquinone-Novolach Photoresist. Russian Microelectronics, 50(4), 239–245. DOI: 10.1134/S106373972104003X.
Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions. Russian Microelectronics, 50(1), 33–38. DOI: 10.1134/S1063739720060025.
Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Lastovskii, S. B., & Pyatlitski, A. N. (2021). Frustrated total internal reflection spectra of diazoquinone–novolac photoresist films. Journal of Applied Spectroscopy, 87(6), 1072–1078. DOI: 10.1007/s10812-021-01111-9.
Tolstorozhev, G. B., Skornyakov, I. V., Bel'kov, M. V., Shadyro, O. I., Brinkevich, S. D., & Samovich, S. N. (2012). IR spectra of benzaldehyde and its derivatives in different aggregate states. Opt. Spektrosk., 113(2), 179–183.
Belkov, M. V., Brinkevich, S. D., Samovich, S. N., Skornyakov, I. V., Tolstorozhev, G. B., & Shadyro, O. I. (2011). Infrared spectra and structure of molecular complexes of aromatic acids. J. Appl. Spectrosc., 78(6), 794–801.
Böcker, J. (1997). Spektroskopie. Wurzburg (Germany): Vogel Industrie Medien GmbH & Co KG.
Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Odzhaev, V. B., & Prosolovich, V. S. (2014). Ion implantation of positive photoresists. Russian Microelectronics, 43(3), 194–200. DOI: 10.1134/S106373971401003X.
Oleshkevich, A. N., Lapchuk, N. M., Odzhaev, V. B., Karpovich, I. A., Prosolovich, V. S., Brinkevich, D. I., & Brinkevich, S. D. (2020). Electronic Conductivity in a Р+-Ion Implanted Positive Photoresist. Russian Microelectronics, 49(1), 55–61. DOI: 10.1134/S1063739719060076.
Рекомендуемые статьи автора (авторов)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д, И. БРИНКЕВИЧ, НАКОПЛЕНИЕ РАДИОНУКЛИДОВ В СМЕННЫХ ДЕТАЛЯХ И ВОДНОЙ МИШЕНИ ЦИКЛОТРОНА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ФОТОРЕЗИСТОВ ДЛЯ ВЗРЫВНОЙ ЛИТОГРАФИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2022)
- Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, Ю. Н. ЯНКОВСКИЙ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, МОДИФИКАЦИЯ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ИМПЛАНТАЦИЕЙ ИОНОВ БОРА И ФОСФОРА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ПЛОТНОСТИ ИОННОГО ТОКА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2021)
- С. Ю. ЗМИТРОВИЧ, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Д. Н. ШАБАНОВ, АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 4 (2019)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОПТИЧЕСКИЕ И ПРОЧНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ЖЕРТВЕННЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ПОЛИИМИДНЫХ ПЛЕНОК, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- В. Б. ОДЖАЕВ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, А. Н. ПЕТЛИЦКИЙ, Н. С. КОВАЛЬЧУК, Я. А. СОЛОВЬЕВ, Д. В. ЖИГУЛИН, Д. В. ШЕСТОВСКИЙ, ЛОКАЛИЗАЦИЯ АТОМОВ АЗОТА В СТРУКТУРАХ Si–SiO2, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- А. Н. КИЙКО, С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 11 (2022)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, М. Б. ШУЛЯКОВСКАЯ, В. В. КОЛОС, О. А. ЗУБОВА, ОБЛУЧЕННЫЕ ЭЛЕКТРОНАМИ ПЛЕНКИ ПОЛИИМИДА PI2610 НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 1 (2024)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБЛУЧЕННЫХ ПЛЕНОК ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2020)
- С. А. ВАБИЩЕВИЧ, А. В. ВАСЮКОВ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, Д. И. БРИНКЕВИЧ, В. С. ПРОСОЛОВИЧ, АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ ПЛЕНОК ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОННОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ БОРА, Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С. Фундаментальные науки: № 12 (2018)