MICROHARDNESS OF Γ-IRRADIATED FILMS OF COPOLYMERS BASED ON METHYL METHACRYLATE
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
γ-irradiated films of copolymers of methyl methacrylate and methacrylamide on the single-crystal silicon was studied by the sclerometry and indentation methods. It was shown that γ-irradiation leads to an increase in the microhardness and partial cracking of copolymers films. The greatest effect was observed for the copolymer films with a predominance of methacrylamide. It was established that the copolymer indentation method gives
lower values of microhardness due to the tensile stresses in the surface layer. Interference pattern was observed around scratches and fingerprints. It is caused, most likely, a modification (change of the refractive index) of the surface layer of the polymer and/or the material displacement under the indenter.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин. – СПб. : Лань, 2003. – 367 с.
Щука, А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука. – М. : Физматкнига, 2007. – 464 с.
Гуль, В. Е. Структура и механические свойства полимеров / В. Е. Гуль, В. Н. Кулешов. – М. : Лабиринт, 1994. – 344 с.
Формирование диэлектрических микроволноводов в системе полимер/SiO2/Si с использованием ионного облучения / А. В. Леонтьев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. – 2005. – № 3. – С. 79–84.
Диэлектрическая релаксация в полимерах и сополимерах метакрилатов и метакриламидов с хромофорными группами в боковых цепях / Н. В. Афанасьева [и др.] // Физика твердого тела. – 2003. – № 5, Т. 45. – С. 936–942.
Химически усиленные резисты для литографии высокого разрешения / С. А. Булгакова [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – Т. 42, № 3. – С. 206–217.
Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии / Э. И. Рау [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – № 2, Т. 42. – С. 116–126.
Исследование влияния синхротронного излучения на термофизические параметры рентгенорезиста ПММА / А. Н. Генцелев [и др.] // Поверхность. – 2012. – № 1. – С. 14–20.
Формирование и исследование толстых резистивных слоев ПММА для LIGA-технологии / О. Н. Бобровникова [и др.] // Поверхность. – 2005. – № 9. – С. 38–43.
Тригуб, В. И. Модификация тонких пленок полиметилметакрилата и метилметакрилата-метилакриловой кислоты под воздействием ультразвука и электронов / В. И. Тригуб, А. В. Плотнов, С. В. Смирнов // Физика и химия обработки материалов. – 2003. – № 4. – С. 92–94.
Головин, Ю. И. Новые принципы, техника и результаты исследования динамических характеристик твердых тел в микрообъемах / Ю. И. Головин // Журнал технической физики. – 2000. – № 5, Т. 70. – С. 82–91.
Литвинов, М. Ю. Методология определения механических свойств полупроводниковых материалов с помощью метода непрерывного вдавливания индентора / М. Ю. Литвинов, Ю. М. Литвинов // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2004. – № 4 – С. 11–16.
Наконечники и бойки алмазные к приборам для измерения твердых металлов и сплавов. Технические условия : ГОСТ 9377-81. – М. : Изд-во стандартов, 1981.
Измерение микротвердости царапанием алмазными наконечниками : ГОСТ 21318-75. – Введ. 01.07.76 г. – М. : Изд-во стандартов, 1976. – 30 с.
Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников : ГОСТ 9450-76. – Введ. 01.01.77 г. – М. : Изд-во стандартов, 1993. – 35 с.
Бринкевич, Д. И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д. И. Бринкевич, Н. В. Вабищевич, В. С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – № 8, Т. 48. – С. 878–883.
Сойфер, Я. М. Исследование локальных механических свойств монокристаллов хлористого калия методом атомно-силовой микроскопии / Я. М. Сойфер, А. Вердян // Физика твердого тела. – 2003. – № 9, Т. 45. – С. 1621–1625.
Булычев, С. И. Соотношение между восстановленной и невосстановленной твердостью при испытании наномикроиндентированием / С. И. Булычев // Журнал технической физики. – 1999. – № 7, Т. 69. – С. 42–48.
Шугуров, А. Р. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом наноиндентирования / А. Р. Шугуров, А. В. Панин, К. В. Осколков // Физика твердого тела. – 2008. – № 6, Т. 50. – С. 1007–1012.
Наноиндентирование и деформационные характеристики наноструктурных боридонитридных пленок / Р. А. Андриевский [и др.] // Физика твердого тела. – 2000. – № 9, Т. 42. – С. 1624–1627.
Панин, А. В. Исследование механических свойств тонких пленок Ag на кремниевой подложке методом наноиндентирования / А. В. Панин, А. Р. Шугуров, К. В. Оскомов // Физика твердого тела. – 2005. – № 11, Т. 47. – С. 1973–1977.
Взаимодействие индентора с пленками сополимеров на основе метилметакрилата / С. А. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундаментальные науки. – 2016. – № 4. – C. 90–97.
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2016. – № 1, Т. 7. – C. 77–84.
Изменение структуры полиметилметакрилата при облучении миллисекундными лазерными импульсами / С. В. Васильев [и др.] // Квантовая электроника. – 1998. – № 11, Т. 25. – С. 1023–1027.
Исследование структуры граничных слоев полиметилметакрилата методом нарушенного полного отражения / Г. М. Семенович [и др.] // Высокомолекулярные соединения. Сер. А. – 1978. – № 9, Т. 20. – С. 2000–2005.
Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем / В. Н. Быков. – М. : Атомиздат, 1967. – С. 467.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М. Я. Мельникова. – М. : МГУ, 2009. – С. 169–178.
Most read articles by the same author(s)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, ACCUMULATION OF RADIONUCLIDES IN REPLACEABLE PARTS AND WATER TARGET CYCLOTRON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESISTS FOR EXPLOSIVE LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- D. SHESTOVSKY, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, U. YANKOVSKY, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, OPTICAL AND STRENGTH PROPERTIES OF SACRIFICIAL LAYERS BASED ON POLYIMIDE FILMS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. ZMITROVICH, S. VABISHCHEVICH, D. SHABANOV, AUTOMATED PHYSICAL MEASUREMENT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, PHYSICAL AND MECHANICAL PROPERTIES OF IRRADIATED FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST ON SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2020)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ, G.A. ESPINOZA de los MONTEROS, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, RADIATION-INDUCED PROCESSES IN FILMS OF DIAZOQUINONE-NOVOLAC RESIST ON SILICON DURING IMPLANTATION OF Ag+ IONS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2020)
- D. BRINKEVICH, С. Д. БРИНКЕВИЧ, S. VABISHCHEVICH, V. KROT, A. MALIBORSKI, LONG-LIVING β-RADIATING RADIONUCLIDES IN THE MANUFACTURE OF RADIOPHARMATIC DRUGS BASED ON 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, APPLICATION ANALYSIS OF THE GAMMA-BETA SPECTROMETER MKS-AT1315 TO CONTROL UNWANTED RADIONUCLIDES, FORMED DURING THE PRODUCTION OF RADIOPHARMACEUTICALS, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)