DEFECT FORMATION IN THE PHOTORESIST BEHIND THE PROJECTED RANGES OF IONS
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
Photoresist-silicon structures implanted by Sb+ ions with energy 60 keV were investigated by the microindentation method. It is revealed that radiative defect formation processes proceed far behind the projected ranges of Sb+ ions. The effect of radiative hardening of polymer was observed on all thickness of a film, and behind the projected ranges of ions the specified effect is expressed more strongly. It is caused by processes of radiation cross-linking. It is shown that ion implantation leads to deterioration of adhesive interac-tion of a photopolymeric film with silicon.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы / У. Моро: в 2-х ч. – М.: Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с. (Moreau, W.M. Semiconductor lithography. Principles, practices and materials / W.M. Moreau. – N.Y., London: Plenum Press).
Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 1 / под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – 406 с.
Микроиндентирование структур фотополимер – кремний / Н.В. Вабищевич [и др.] // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С. Фундаментальные науки. – 2011. – № 4. – C. 77 – 83.
Особенности структуры и физико-механических свойств наноструктурных тонких пленок / Д.В. Штанский [и др.] // Физика твердого тела. – 2003. – Т. 45, № 6. – С. 1122 – 1129.
О распределении величины микротвердости по глубине образца / А.Б. Герасимов [и др.] // Физика твердого тела. – 1999. – Т. 41, № 7. – С. 1225 – 1227.
Исследование структуры граничных слоев полиметилметакрилата методом нарушенного полного отражения / Г.М. Семенович [и др.] // Высокомолекулярные соединения. Сер. А. – 1978. – Т. 20, № 9. – С. 2000 – 2005.
О взаимодействии метилметакрилата с силикатами минералов / Г.В. Топильский [и др.] // Изв. вузов. Сер. Строительство и архитектура. – 1975. – № 12. – С. 78 – 81.
Xiaolin, Lu. Characterization of the interfacial interaction between polyacrylamide and silicon substrate by Fourier transform infrared spectroscopy / Lu Xiaolin, Mi Yongli // Macromolecules. – 2005. – V. 38, № 3. – Р. 839 – 843.
Власов, С.В. Ориентированное состояние полимеров / С.В. Власов, В.Н. Кулизнев. – М.: Знание, 1987 – 48 с.
AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist / I. Azarko [et al.] // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – № 7. – P. 270 – 271.
Кинг, Р.В. Полимеры / Р.В. Кинг, Н.Дж. Бродвей, Р.А. Майер // Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем; под ред. Д.Ф. Кирчера, Р.Е. Боумана. – М.: Атомиздат, 1967. – С. 49 – 114. (Effect of radiation on materials and components; ed. J.F. Kircher, R.E. Bowman. – Reinhold Publishing Co, 1964).
Грасси, Н. Деструкция и стабилизация полимеров / Н. Грасси, Дж. Скотт. – М.: Мир, 1988. – 246 с. (Grassie, N. Polymer degradation and stabilization / N. Grassie, G. Scott. – Cambridge University Press, 1985).
Synthesis and photochemistry of 1, 2-nafhthoquinonediazide-(2)-n-sulfonic acid derivatives / J. Bendig [et al.] // Tetrahedron. – 1992. – V. 48, № 42. – Р. 9207 – 9210.
Спектры ЭПР алмазоподобных и облученных ионами полимерных углеродных пленок / В.В. Сухоруков [и др.] // Поверхность. – 1991. – № 5. – С. 92 – 96.
Экспериментальные методы химии высоких энергий / под общ. ред. М.Я. Мельникова. – М.: МГУ, 2009. – 824 с.
Ионная имплантация полимеров / В.Б. Оджаев [и др.]. – Минск: БГУ, 1998. – 197 с.
Most read articles by the same author(s)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, ACCUMULATION OF RADIONUCLIDES IN REPLACEABLE PARTS AND WATER TARGET CYCLOTRON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- D. SHESTOVSKY, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, U. YANKOVSKY, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, MODIFICATION OF DIAZOQUINONE-NOVOLACH PHOTORESIST FILMS BY IMPLANTATION OF BORON AND PHOSPHORUS IONS AT INCREASED IONIC CURRENT DENSITY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 12 (2021)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, V. KOLOS, O. ZUBOVA, STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESISTS FOR EXPLOSIVE LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, BRINKEVICH BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, O. ZUBOVA, O. TANANA, N. VABISHCHEVICH, B. K. ISMAYLOV, INDENTATION OF NEGATIVE PHOTORESIST FILMS FOR LIFT-OFF LITHOGRAPHY, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2025)
- S. ZMITROVICH, S. VABISHCHEVICH, D. SHABANOV, AUTOMATED PHYSICAL MEASUREMENT SYSTEM, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)
- A. KIYKO, S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, РАДИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ВЫВОДА ЦИКЛОТРОНА ИЗ ЭКСПЛУАТАЦИИ, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 11 (2022)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, INDENTATION OF ELECTRON-IRRAUDED FILMS OF DIAZOQUINONE NOVOLAC PHOTORESISTS ON SILICONE, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2023)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. SHULYAKOVSKAYA, V. KOLOS, O. ZUBOVA, ELECTRON IRRADIATED PI2610 POLYIMIDE FILMS ON MONOCRYSTALLINE SILICON, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 1 (2024)
- S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH, D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, M. TARASIK, THE LIFETIME OF CHARGE CARRIERS IN PLATES OF SINGLE CRYSTALLINE SILICON WITH FILMS OF A DIAZOQUINON-NOVOLAC PHOTORESIST, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2021)
- D. BRINKEVICH, С. Д. БРИНКЕВИЧ, S. VABISHCHEVICH, V. KROT, A. MALIBORSKI, LONG-LIVING β-RADIATING RADIONUCLIDES IN THE MANUFACTURE OF RADIOPHARMATIC DRUGS BASED ON 18F, Vestnik of Polotsk State University. Part C. Fundamental Sciences: No. 4 (2019)