STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
The strength properties of the structures of the photoresist-silicon was investigated by indenting and scratching methods. Film positive photoresist with thickness of 1.0–5.0 μm was deposited on silicon wafers of various brands by the centrifugation method. It was found that the microhardness as determined by sclerometer, 20–40 % more than microhardness obtained by the microindentation methods. When using the load, which equals 1–2 g, more accurate values of microhardness gives the scratching method. Increasing the load to 10 or more grams leads to a leveling of the specified differences – values of microhardness obtained by both methods coincide.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
References
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы : в 2 ч. / У. Моро. – М. : Мир, 1990. – Ч. 2. – 632 с.
Наконечники и бойки алмазные к приборам для измерения твердых металлов и сплавов. Технические условия : ГОСТ 9377-81. – М. : Изд-во стандартов, 1981. – 10 с.
Измерение микротвердости царапанием алмазными наконечниками : ГОСТ 21318-75. – введ. 01.07.76 г. – М. : Изд-во стандартов, 1976. – 30 с.
Бринкевич, Д.И. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием / Д.И. Бринкевич, Н.В. Вабищевич, В.С. Просолович // Неорганические материалы. – 2012. – Т. 48, № 8. – С. 878–883.
Измерение микротвердости вдавливанием алмазных наконечников : ГОСТ 9450-76. – введ. 01.01.77 г. : с изм. – М. : Изд-во стандартов, 1993. – 35 с.